文档介绍：维普资讯g。.~, L一 4期林鸿生等:—iCS异质结结构太阳能电池设计分析 aS/— 457 aS:薄层后,—00,.4/,度分别是1.— H,,强7m 348××1 V/m ,:00*l0 V/m 和 / n是否会给电池带来不稳定性?此先来看光辐照引为起的电池电场强度分布的变化。重画无光照时P (—iH).5/iaS:).3//cS)aS:00￣m/(—iH00￣n(—i异 m处,×1。 强 060V/m 增 7×01V/m ;cl而反电场区域宽度则从未嵌入aS:薄—iH层的(~00x)为(~00x,场强度 /m)电也稍减弱,.=000/处,别从+4( 如/=,.2x7=×1 0,+45×1。V/m减小到+44×l .,质结电场强度分布于图91,用高强度光照射()现(N 一j1 c )如前所述,算该异质结太×0m,计阳能电池的电场强度分布,图92所示,92 如()图()与()差无几,是光照射使小于11相只×1 V/m 0c的低场区强度稍变大,z一00x处,×1。c ×1。cl反 430V/ml 150V/m ;电场强度也稍减弱,-一00,.2/处,度如.,.100xm强从+18×1 +37×1。c变小为+15 .40,.20V/×1 +26×1。c,光照射反能稍增强非 0,.90V/m即+37×1。c所以嵌入的aS:,—iH虽然增加电池的串联电阻损失,它带来的双异质但结对电场调制的结果却与上述减薄as:膜厚的—iH一样,到了增强光生载流子有效收集和增大电池起短路电流的作用,且嵌入的iaS:薄层还把而(—iH)重掺杂PaS:的高隙态密度对异质结面附近(—iH)载流子复合的影响隔开来,化aS/—i质结,钝—icS 改善电池的光生伏特效应,用PaS:/(—应(—iH)ic tS)质结嵌入iaS:缓冲薄层设计,未嵌入 i异(—iH)与aS:薄层相比,向暗电流密度减少2个数量—iH反级,池短路电流密度增大达3. 电79mA/m 电池 c,能量转换率从1. 提高到1. [入4n 2348嵌 miaS:薄层] (—iH)[ 。晶薄膜中光生载流子的传输和收集,光照射又不而引起cS中光生载流子输运的改变,会发生电—i不池性能因光辐射而退化,—icS异质结结构太 aS/—i阳能电池具有较高的光稳定性 j。 005 /pm 025. 图9P’(—iH).5￥/(—iH).0>/cS) aS:00￣iaS:03mn(—i m异质结太阳能电池光辐照前后电场强度分布(取电池O02 m区域)()~.5[1光() 0O . /pm O2O 025. 后] nP(-:)00>/g eti il rflsi 图8aS/—i质结太阳能电池电场强度分布(电-icS异取池O02 .区域)()paS:00m/~.5pm[1 (—iH).5>i (—iH)00 -/cS)(P(—iH).8aS:.3pn(—i,2) aS:00 m>/cS) mn(—i](—iH).3￥m/cS)htrjnto