文档介绍：CCD它具有结构简单,基础度高,制造工序少,功耗低,D是一种半导体集成器件,它由MOS光敏元、移位寄存器、电荷转移栅等部分组成。 ;一般都以硅作为半导体衬底,在其上热生长一层二氧化硅(SiO2),并在二氧化硅上面淀积具有一定形状的金属层。因为它是由金属(M)—氧化物(O)—半导体(S)三层所组成,故称MOS结构。 、氧化物介质及半导体三部分组成,也是MOS结构,它不能使它受光照射,应防止外来光线的干扰。 现在来说明光敏单元中的电荷是怎样转移(读出)至移位寄存器的。 如图,光敏区中产生的电荷,由转移门Z控制转移至a1、a2、----an极下的势阱。但如何解决光敏区中的光敏单元数与移位寄存器的传输单元数相等,而转移电极2只有一个矛盾呢?现以A-A截面的电极为例进行分析。把A--5。由图中可看出,从t0到t2光敏单元a1'中的电荷已转移至a1极下的势阶。同理,光敏单元a1'、a2'…an'中的电荷同时转移至a1、a2…an极下的势阱。这是一个平行转移的过程。由于t2以后转移电极Z上的电压恢复为零,相当于把光敏区和移位寄存器之间的“门”阻塞。自t3以后,光敏单元又重新进行光积累(光积分),§)移位寄存器a1、b1、c1;a2、b2、c2;----an、等进行移位(电荷传输),各自执行自己的任务。 光敏单元a1'中的电荷不移至b1和c1极下,是靠制造适当的沟道及b1、c1极上加适当的电压来实现的。当t=t1时,转移电极Z上加正脉冲,这时Ua=U,Ub=0,Uc=0,即这时b1、c1极下不产生势阱,因此a1'中的电荷沿沟道转移至a1极下的势阱。上述光敏区中的电荷信号靠移位寄存器传输给输出二极管读出,故移位寄存器一般称