文档介绍：70MW多晶硅太阳能电池片生产线
参考设计方案
第一部分:
生产线概况
第二部分:
生产线技术说明
第三部分:
设备清单
第四部分:
投资状况
第一部分
生产线概况
该生产线用于多晶硅太阳能电池片的生产,年设计产能60~80MW。适用于156mm×156mm硅片,整线分段自动化,人工干涉少,运行稳定,电池片性能一致性好,具有较高的投入/产出比。
整线工艺路线如下:
多晶硅片投入
多晶制绒
扩散制结
等离子刻蚀
去磷硅玻璃清洗
PECVD镀膜
丝网印刷
烘干/烧结
测试分档
电池片产出
整线技术规格
进料硅片规格
◆P型多晶,纯度≥%;
◆尺寸156mm×156mm,厚度180±20μm。
电池片规格
◆转换效率:
%。
测试标准:光伏工业国家标准GB/T6495,,1000W/m2,25℃。太阳能模拟器、校准样片、校准流程均必须通过TUV等国际权威机构的认证。
产能
◆良品率:
良品率97~98%。
不良品定义:碎片;铝包;效率<10%;并联电阻Rsh < 6 Ohm。
◆产能(良品):
按4W/片,产能70MW/年,即1800万片/年; (按28工作日/月计算);2800片/小时(按23小时/天计算)。
第二部分:
生产线技术说明
制绒设备技术说明见附件
扩散
本工艺使用液态磷源,在高温环境下对硅片进行磷扩散,从而在硅片表面形成PN结。
工艺流程
装片
进舟
初始氧化
预淀积
驱入
退舟冷却
方块电阻检测
卸片
技术规格
(1) PN结深:~µm;
(2) 方块电阻:40~60 Ohm;
(3) 方块电阻均匀性:片内6%;片间5%;批间: 5%。(156mm×156mm)
湿法刻蚀
湿法刻蚀设备技术说明见附件
PECVD镀膜
PECVD即等离子体增强化学气相淀积设备,是利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术。电子和离子的密度达109~1012个/cm3,平均电子能量可达1~10ev。由于等离子体存在,促进气体分子的分解、化合、激发和电离,促进反应活性基团的生成,从而降低沉积温度。PECVD在200℃~500℃范围内成膜,远小于其它CVD在700℃~950℃范围内成膜。由于在氨气条件下,提高了活性基因的扩散能力,从而提高薄膜的生长速度和均匀性。在沉积过程中,由于大量的氢存在,起到表面钝化作用。目前在太阳电池行业主要用PECVD设备来淀积氮化硅减反射钝化膜。
氮化硅膜不仅仅有优良的光学性能如折射率接近太阳电池所需的最佳折射率,且有良好的绝缘性、致密性、稳定性和对杂质离子的掩蔽能力。
工艺流程
装片
送舟
抽真空
进气
起辉放电
SiN 薄膜沉积
退舟
卸片
技术规格
(1) 膜厚:~70nm,折射率~;
(2) 成膜均匀性:成膜均匀性为:片内5%;片间5%;批间: 5%。(156mm×156mm) ;
(3) 表观:深蓝色,色调均一。
该工艺采用全自动丝网印刷机完成背电极、背场、正面栅极的印刷及相应工序的烘干。
工艺流程
上料
印刷背电极
烘干
印刷背场
烘干
自动转面
印刷正面栅极
下料
技术规格
(1) 背电极:Ag/Al浆料,~;
(2) 背场:Al浆料,~1g;
(3) 正栅线:Ag浆料,~;宽度:次栅线100~150um;主栅线~2mm;
(4) 金属电极遮光面积:~8%。
烘干/烧结
该工艺采用红外加热的干燥/烧结一体炉对印刷电极后的电池片进行烘干、烧结,以形成良好的电极接触。
工艺流程
上料
干燥(3区)
烧结(6区)
风冷
下料
技术规格:
N型发射极,40~55 Ohm/sq的方块电阻,均匀性小于5%
串联电阻:4~8 m·Ohm
填充因子: ~