文档介绍：电子技术实验五实验报告报告实验名称:场效应管放大电路系别:计算机系班号:实验组别:32组实验者姓名:学号:实验日期:2013年11月13日实验报告完成日期:2013年11月日指导教师意见:一、;、测试方法。二、:场效应管是一种电压控制器件,由于它的输入阻抗极高(一般可达上百兆、甚至几千兆),动态范围大,热稳定性好,抗辐射能力强,制造工艺简单,便于大规模集成。因此,场效应管的使用越来越广泛。场效应管按结构可分为MOS型和结型,按沟道分为N沟道和P沟道器件,按零栅压源、漏通断状态分为增强型和耗尽型器件,可根据需要选用。那么,场效应管由于结构上的特点源漏极可以互换,为了防止栅极感应电压击穿要求一切测试仪器,都要有良好接地。:⑴转移特性(控制特性):反映了管子工作在饱和区时栅极电压VGS对漏极电流ID的控制作用。当满足|VDS|〉|VGS|-|VP|时,ID对于VGS的关系曲线即为转移特性曲线。如图1所示。由图可知。当VGS=0时的漏极电流即为漏极饱和电流IDSS,也称为零栅漏电流。使ID=0时所对应的栅源电压,称为夹断电压VGS=VGS(TH)。⑵转移特性可用如下近似公式表示:ID=IDSS(1-VGS/VGS(TH))2(当0≥VGS≥VP)这样,只要IDSS和VGS(TH)确定,就可以把转移特性上的其他点估算出来。转移特性的斜率为:gm=ΔID/ΔVGS|VDS=常数它反映了VGS对ID的控制能力,是表征场效应管放大作用的重要参数,称为跨异。~5ms(mA/V)。它可以由式1求得:gm=-2IDSS/VGS(TH)×﹙1-VGS/VGS(TH))⑶输出特性(漏极特性)反映了漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用。图2为N沟道场效应管的典型漏极特性曲线。由图可见,曲线分为三个区域,即Ⅰ区(可变电阻区),Ⅱ区(饱和区),Ⅲ区(截止区)。饱和区的特点是VDS增加时ID不变(恒流),而VGS变化时,ID随之变化(受控),管子相当于一个受控恒流源。在实际曲线中,对于确定的VGS值,随着VDS的增加,ID有很小的增加。ID对VDS的依赖程度,可以用动态电阻rDS表示为:rDS=ΔVDS/ΔID|VGS=常数在一般情况下,rDS在几千欧到几百欧之间。⑶图示仪测试场效应管特性曲线的方法:①连接方法:将场效应管G、D、S分别插入图示仪测试台的B、C、E。②输出特性测试:集电极电源为+10v,功耗限制电阻为1kΩ;X轴置集电极电压1V/度,∕度;与双极型晶体管测试不同为阶梯信号,由于场效应管为电压控制器件,故阶梯信号应选择阶梯电压,即:阶梯信号:重复、极性:一、∕度,则可测出场效应管的输出特性,并从特性曲线求出其参数。③转移特性测试:在上述测试的基础上,∕度,则可测出场效应管的转移特性,并从特性曲线求出其参数。⑷场效应管主要参数测试电路设计:①根据转移特性可知,当VGS=0时,ID=IDSS,故其测试电路如图3所示。②根据转移特性可知,当ID=0时,VGS=VGS(TH),故其测试电路如图4所示。:自给偏置N沟道场效应管共源基本放大器