凝聚态物理2隧穿晶体管 刘强.ppt

文档介绍：隧穿晶体管(TFET)—高能效电子开关报告人:刘强院系:理学院物理系导师:任伟教授日期:****原理阐述GN+N+-GN+P++**原理阐述对MOS管来说GN+N+特点:;。**原理阐述特点:;,需要:****:**;:环栅、小的体厚;。-GN+P++在几纳米内分出4、**漏电流的产生漏电流的产生:**III-V族半导体栅极电压Vg如何有窄的Eg和有效质量较小的载流子?GroupIII-V-semiconductor-basedTFETsSi、Ge是间接带隙半导体,而GaAs、InAs、InSb等是直接带隙半导体,可以提供较高的迁移率。连守翟棋疙帅角枪澜废险杠抵溢娥唱赢诸砚身锌杀斜掩例啦菠域预磷添锹凝聚态物理2隧穿晶体管刘强凝聚态物理2隧穿晶体管刘强