文档介绍：VCC0V第二章门电路第一节概述门电路:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。门电路的两种输入,输出电平:高电平、低电平。它们分别对应逻辑电路的1,0状态。正逻辑:1代表高电平;0代表低电平。负逻辑:0代表高电平;1代表低电平。1根据制造工艺不同可分为单极型和双极型两大类。门电路中晶体管均工作在开关状态。首先介绍晶体管和场效应管的开关特性。然后介绍两类门电路。注意:各种门电路的工作原理,只要求一般掌握;而各种门电路的外部特性和应用是要求重点。当代门电路(所有数字电路)均已集成化。【】(b),【】,【】,【】,【】,【】,【】,【】。2第二节半导体二极管和三极管的开关特性一、,因此必须把特性曲线简化。(见右侧电路图)有三种简化方法:输入信号慢变化时的特性。VCC3第一种第三种+-,二极管会短时间导通。tre这段时间用tre表示,称为反向恢复时间。输入信号快变化时的特性。DRLi它是由于二极管正向导通时PN结两侧的多数载流子扩散到对方形成电荷存储引起的。5二、半导体三极管的开关特性(一)。基本开关电路如图:可用图解法分析电路:输入特性输出特性6条件特点BE结BC结截止导通放大饱和<VON()Ib<IBSic=ICEO(=0),iB=0ic=iB=VCE(sat)==ICS/=VCC-iCRC开关特性可归纳为下表:也是“特点”,三极管内部电荷的建立和消散都需要时间,因而集电极电流的变化将滞后于输入电压的变化。从而导致输出电压滞后于输入电压的变化。也可以理解为三极管的结电容起作用。注意:三极管饱和越深,由饱和到截止的延迟时间越长。饱和时截止时8(二)(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)称为:金属—氧化物—半导体场效应管或绝缘栅场效应管导电沟道(反型层)源极Source漏极Drain栅极Gate当大于VGS(th)时,将出现导电沟道。VGS(th)称为开启电压,与管子构造有关。SDB导电沟道将源区和漏区连成一体。此时在D,S间加电压,将形成漏极电流iD。称为N沟道增强型场效应管显然,导电沟道的厚度与栅源电压大小有关。而沟道越厚,管子的导通电阻RON越小。因而,若不变,就可控制漏极电流iD。因此把MOS管称为电压控制器件。,其关系式为:相应曲线称为转移特性。空间电荷区截止区VDS=0V出现沟道。VDS增加,则沟道“倾斜”(阻值增加)。VGD=VGS(th)时,沟道“夹断”。VDS再增加时,夹断点向源区移动,但iD不变。输入特性可不讨论。可变电阻区夹断点VGS(th)=2V设=5V同理可求出栅源电压为4V和3V时的夹断点。它也有三个工作区固定电阻固定电阻夹断10