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浅谈LED芯片未来发展趋势.doc

上传人:ttteee8 2019/12/9 文件大小:64 KB

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文档介绍::..浅谈LED芯片未来发展趋势浅谈LED芯片未來发展趋势未來LED芯片的发展方向,一定是密切的结合封装的技术来发展。在封装的技术越來越成熟的基础之上,LED芯片的尺寸将会越做越小,LED芯片亮度越來越亮,驱动电流越來越大。2001年,台湾LED小功率芯片14*。到2012年,台湾LED小功率芯片10*23mil最高光通量已达到为lOLMo2001年,台湾LED大功率芯片45*45mil的最高光通量为10LMo到2012年,台湾LED人功率芯片45*45mil最高光通量己达到140LMo未來,LED芯片的光通量增长可能会越來越慢了,而LED芯片的发展方向也成为行业内极为关注的一大问题。我认为,未來LED芯片将朝着光效越來越高,尺寸越來越小,驱动电源越來越人这三个方向发展。在探讨这个话题Z前,我们先來看看LED芯片尺寸人小、电流、电压、功率与热量、温度Z间的关系。①首先,我们要理解一条公式:功率二电流*电压。②其次,我们耍理解一个左律:能量守恒泄律——各种能量形式互和转换是冇方向和条件限制的,能量互相转换时其量值不变,即能量是不能被创造或消灭的。③再者,我们还要理解通过LED芯片的电能能量转化的形态分为两种:热能与光能。④由上面的公式、定律及转化形态得出以下小结:LED芯片尺寸无论大小,只耍其功率(电能)-•样,光通量(光能)-•样,那么,LED芯片把电能能量转化为热能的热量也就一样。⑤由第④点出发,假设LED芯片把电能转化为光能与热能的过程中,其热能完全不能导出,那么,可得到如下结论:LED芯片尺寸的人小与LED芯片温度的关系就成反比。再简单的说,就是大尺寸的芯片及小尺寸的芯片分摊同样一个热能,小尺寸的芯片温度相对来说要比人尺寸的芯片温度要高。⑥从相同电流驱动不同尺寸芯片来分析:ll*24mil=264m订2,可适丿1120mA电流驱动,264mil2/20mA=;6*6mil=36mil2,也叮适用20mA电流驱动;36m订2/;从上而可得出结论:芯片尺、J•的大小到底适合多大电流的驱动,是没有固定公式的。我们知道,11*2伽订一般是蓝门光芯片,衬底为2203(三氧化二铝也叫蓝宝石,透明体),也没有电极,两个电极都制作在芯片的同一•面——表面。这种结构称为表面芯片结构。6*6m订一般是红光芯片,衬底一般为GaAsGi巾化稼,吸光,黑灰色固体),能导电,衬底一般为负极,表面制作一个正极,这种结构称为垂直芯片结构。由上面两类不同的芯片结构可分析出:只要能尽快有效地把LED芯片的热能导出來,驶动电流的大小对尺寸大小不一的LED芯片的影响是没有关系的。⑦由以上六点可推论出:热阻相同、热能导管大小相同的大小尺寸不一的LED芯片,如热量相当,那么,尺寸大的LED芯片温度相对要低,尺寸小的LED芯片温度相对要高。⑧进而可推论出:热量相当的尺寸大小相同的LED芯片,如热阻相同,热能导管越大,该LED芯片的温度相对要低,反之耍高。冃前,市场匕的小功率插件口光町达到15000小时零光衰,差的人功率LED芯片1000小时光衰在30%以上。结合刚才第⑧点里的推论,我们可以设想:芯片尺寸不管人小,驱