文档介绍：第11卷第4期2003年12月材料科学与工艺MATERIALSSCIENCE&TECHNOLOGY Vol111No14Dec.,2003导电聚合物MEH-PPV表面光电特性的研究黄宗浩,孙海珠,张文,杨继华(东北师范大学化学学院,吉林长春130024,E2mail:******@:用接触电位差(CPD方法研究了导电聚合物MEH-,表面功函数为417-418eV,是p型导电材料..测得1关键词:光伏材料;MEH-PPV;接触电位差;表面功函数中图分类号:TG171文献标识码:A-(-0383-03ofpolymerMEH-PPVGZong2hao,SUNHai2zhu,ZHANGWen,YANGJi2hua(CollegeofChemistry,NortheastNormalUniversity,Jilin,130024,ChinaAbstract:haracteristicsofconductingpolymerMEH-PPVthinfilmwerestudiedusingcontactpotentialdifference((SWFofMEH-PPVthinfilmweredeterminedas211eVand417-418eV,respectively;andthep-typeconductingcharacteristicoffilmwasdetermined,,andtheresultindicatesthattheSWFoffilmcoatedfromtetrahydrofuran(THFis0115eVlowerthanthatfromchlorobenzne(:photovoltaicmaterials,MEH-PPV,contactpotentialdifference,surfaceworkfunction MEH-PPV是20世纪90年代发现的具有优良光电特性的共轭聚合物[1,2].MEH-PPV的可溶性和成膜性能良好,可用以研制大面积、-电特性研制光电探测器及光伏(太阳,因此目前导电聚合物光电特性和光电器件的研究成为一新研究热点[3~6].研究表明,聚合物的光电转换要经历以下主要过程:聚合物吸收入射光产生激子,光生激子的扩散和在材料界面的电荷转移(CT[7].,(contactpotentialdif2收稿日期:2001-09-:吉林省科技厅科技发展资助项目(2002618作者简介:黄宗浩(1945-,男,,CPD[8]的方法,研究MEH-PPV薄膜的光电特性, 实验和测试111 样品的制备按文献用脱卤缩合法合成MEH-PPV[1].,本文分别用四氢呋喃(THF-不含芳环的有机溶剂和***苯(CB-含芳环的有机溶剂制备了质量浓度为1%的溶液,在均胶机上用103r/ 测试采用德国Delta-PhiElectronic生产的Kelvinprobearrangement测试MEH-PPV样品界面的接触电位差谱,光源为美国McPherson・384・材料科学与工艺第11卷 ((1,MEH- 不同铸膜溶剂对薄膜光电特性的影响图3给出用CB为溶剂铸膜所得厚度分别为12nm和28nmMEH-,该图表明MEH-PPV薄膜的能隙为211eV, 聚合物MEH- ThestructureofpolymerMEH-PPH 由Kelvin探针法测得的接触电位差VCPD由下关系式表述[8]:VCPD=(W样—/(式中W样为,5, ***苯为溶剂时MEH- TheCPDspectraofMEH-PPVthinfilmcoaledfromCBsolution2 211 MEH-PPV的光电特性参数图2是溶剂为THF时两种MEH-PPV薄膜自由界面的CPD谱,厚度分别为10nm和