文档介绍：天津大学
硕士学位论文
SOI SiGe HDTMOS器件及电路研究
姓名:夏克军
申请学位级别:硕士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:李树荣
20030101
论文摘要关键词:理论研究。首先,分析了墓ぷ髟恚樯芰薉的静态、动态和功耗了一倍以上,随后阐述了重要参数的变化规律;研究指出,层对艿挠遍模型。最后,借所得的模拟结果的分析,首次提出了栅近似,从而给出了相应的猇方程,其结果与模拟结果相一致。路:环形振荡器和传输门逻辑。D饨峁砻鳎竦雌鞯钠德侍岣吡以上,逻辑传输延迟缩小了近%。将是下一代集成电路的备选技术之一。本论韭畚牡玫焦易匀豢蒲Щ鹣钅孔手基金项目批准号:随着信息技术的不断进步,高速信息处理和移动通信成为时代的迫切要求。微电子业顺应形势,正在加紧研发高速低功耗集成电路。其中一种思路是丌发与传统的成熟硅相兼容的技术来达到这个目的,这样不仅降低成本,亦缩短上世纪末,涌现出了许多这样的技术。其中际酢际鹾投值技术晌Q芯咳鹊恪A钊诵老驳氖牵馊旨际醪唤龉ひ胀耆ḿ嫒荩而且互益。本文就是对综合这三种技术的应用于韵碌腟熘式酓骷偷缏纷骼砺酆褪笛檠芯俊本文利用的工艺和器件模拟软件,对作了完整的模型。而后,深入探讨层的引八对艿男阅艿奶岣撸砻髑缌魈岣的准双在电路中的优异性能,我们选择了两个典型的电本文利用的模拟结果,优化了器件的关键工艺参数,改进了器件和电路的光刻版图。利用疌锗硅外延工艺和流水工艺在牡咨现单管,电路则正在研制中。这些研究表明,哂腥缦绿氐悖嚎L┘ǖ缌鞔螅绲高:亚阈值好,其斜率接近理论极限值;小的短沟道效应:小的关态电流;速度文的工作是进一步研究的基础。响近可忽略。综合此二点,通过改造P停玫搅薙疢的普为了验证功耗积小。研发时间。作出了
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学雠文储虢形新懿弘≈系签专日期:功哆年埋独创性声明学位论文版权使用授权书签字日期:抽≥年五月本学位论文作者完全了解墨鲞盘堂有关保留、使用学位论文的规定。特授权:苤鲞盘鲎可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检表或撰写过的研究成果,也不包含为获得墨盗盘堂或其他教育机构的学位或研究成果,除了文中特别加以标注和致谢之处外,论文中不包含其他人已经发证书而使用过的材料。与我一同工的同志对本研究所做的任何贡献均已在论本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的文中作了明确的说明并表示了谢意。学位论文作者签名:签字日期:年月索,并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编以供查阅和借阅。同意学校向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘。C艿难宦畚脑诮饷芎笫视帽臼谌ㄋ得日
第一章绪论峨/异质结技术‘和动态阈值际酢晌9刈⒌娜鹊恪2唤鋈课题的提出耗电路一那就是探寻与当前成熟的方法遇到了诸多困难:纳米尺度的光刻技术,几个纳米厚度的栅氧化层的制完善地解决这些困难,要做许多的技术更新,几乎每一项都需投入大量的人力物力资源。虽然这些问题最终都要得到解决,但是对于现在这样一个具有此,这三种技术有个内在的优势就是它们之间也是完全兼容并互益的。集成电路,从而把它们各自的优点结合起来,而且工艺上它年,受到国家自然科学基金资助的“琒,集成电路的研究”项目启动。这是个开创性的工作。它的研究对象将是下一代非经典纳米领工艺手段9庠瓴偶嗨蒲芯勘ǖ馈念于称谓之宜,栅和衬底相连的结构,当它工作于韵拢疚某莆齇,则命为混合模式晶体管朔只涤珊笪穆比常规傻缏肪哂兴俣壬系挠攀疲乇鹗窃谝隨档乐螅荒芎芎玫奶逑諷暮么Γ颐堑氖笛橐仓な嫡庖坏悖虼吮韭畚世纪之初,应于高速海量信息处理和移动通信的迫切要求,微电子业正在加紧开发高速低功耗集成电路。是否依旧采用成熟的硅制作电路回顾三十年来,电路成为工业界的主流,这种成功主要来源于器件的等比例缩小技术。然而,如今关键尺寸快进入纳米领域,这种提高性能的作,栅极的多晶硅耗尽,阈值电压的非等比例缩小性,反型层迁移率恶化,沟道掺杂的高敏感性,极浅源漏结限制,串联电阻的增加等等。过渡性质的阶段而言,我们可以采用另外的思路来相对低成本地获得高速低功集成电路相兼容的新的器件结构和八十年代以来,人们对此以V行淖髁舜罅康难芯俊F渲蠸技术年,天津大学微电子器件课题组决定与清华大学微电子研究所合作将上述三种技术综合起来,,傻缏凡辉材料。们完全兼容。及。根据第一章绪论
雔ぱ钩涪弩玫浴苵、际踅樯际分质图韭畚难芯克诘奈恢黑框处普通硅衬底通常达⒚滓陨希ù蠖嗍杵骷贾焕昧吮砻娴募父鑫⒚的区域,因此完全可以在现谱鳌U庵旨际踉诩傻缏诽乇鹗荂矫比体硅有更多优势【。①它易于氧化隔离,不需制作阱,消除了闩锁效应,而且集成