文档介绍：毕业设计(论文)(2012届)题目 硅片清洗原理与改进方法学号 0903023015 姓名 余剑剑 所属系 太阳能科学与工程系专业 光伏材料加工与应用技术班级 09光伏材料(2)班指导教师 江民华 新余学院教务处制硅片清洗原理与改进方法摘要随着大规模集成电路的发展,集成度的不断提高,线宽的不断减小,对硅片的质量要求也越來越高,特别是对硅抛光片的表面质量要求越來越严。在硅晶体管和集成电路生产中,几乎每道工序都有硅片清洗的问题,硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响,处理不当,可能使全部硅片报废,做不出管子来,或者制造出来的器件性能低劣,稳定性和可靠性很差。因此弄清楚硅片清洗的方法和原理,不管是对于从事硅片加工的人,述是对于从事半导体器件生产的人來说都有着重要的意义。本文对硅片清洗的基本理论、常用工艺方法和技术进行了详细的论述,同时对一些常用的清洗方案进行了浅析,并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述。最后介绍了清洗工艺的最新进展。关键词:硅片;清洗;湿法化学清洗; 干法清洗技术;最新进展SiliconwafercleaningprincipleandimprovingmethodsAbstractAlongwiththedevelopmentoflargescaleintegratedcircuit,theconstantimprovementofthelevelofintegration,thelinewidthofconstantlydecrease,thequalityrequirementsofthesiliconwaferofmoreandmoreisalsohigh,especiallyinsiliconPaoGuangPiansurfacequalityrequirementsmoreandmoresevere・Insilicontransistorsandintegratedcircuitproduction,almosteveryprocessistheproblemofsiliconcleaning,thestandorfallofsiliconcleaningdeviceperformancetohaveaseriousimpact,processesimproper,maymakeallsiliconscrap,can'tmakethetubeto,ormadetheinferiordeviceperformance,,whetheritbeforwaferprocessinginperson,,montechniquesarediscussedindetail,monlyusedcleaningsolutionforshallow,,:Siliconwafer;Cleaning;Wetchemicalcleaning;Drycleaningtechnology;Thelatestprogressofthe摘要 1Abstract II第1章硅片清洗的基本理论 错误!未定义书签。 错误!未定义书签。3硅片表面玷污朵质的来源和分类 31・4硅片清洗的一般程序 3第二章硅片清洗的常用方法与技术 错误!未定义书签。1湿法化学清洗 错误!未定义书签。 ・2溶液浸泡法 ・3机械擦洗法 8第三章清洗技术的最新进展 9结论 10参考文献(References) 11致谢 ,表而内部的硅原了以共价键结合,而表面外部无其它原了,所以外方向的价键是未饱和的,存在着可以俘获电子的表面态。上述理想表面实际是不存在的,硅片的真实表面由于暴