文档介绍：第一章半导体基础知识自测题一、 (1)V(2)X(3)V(4)X(5)V(6)X二、 ⑴A(2)C(3)C(4)B(5)AC二、〃oi~〃o2=°U°3〜—(/o42V(/o5^~—2V四、 Sn=6VUo2=5V五、 根据PCM=200mW可得:Uce=40V时/c=5mA,Uce=30V时/c^,Uce=20V时/cTOmA,UCE=\OV时?c=2OmA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。六、 1、Ic=/3Ib=〃ce=Vcc-Sc=2V如Uce=2V。2、临界饱和时t/CEs=f/BE=,所以Ic="cc-Uces==仏== ■[伍=、 T|:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区****题(1)AC(2)A(3)C(4)。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,。“。的波形如图所示。“。的波形如图所示。L5如的波形如图所示。/d=(V—U°)//?=,rDa"T〃D=l°Q,/(]=1mAo(1)、、。(2)。/zm=Pzm/〃z=25itiA,/?=Uz〃dz=°・24〜。(1)当t/T=10V时,若t/o=〃z=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故心«+Rl当5=15V时,由于上述同样的原因,Uo=5V。当3=35V时,〃o=〃z=5V。ID/=(t/j-[/z)//?=29mA>/ZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。L10(1)S闭合。⑵/?min=(V-t/D)//Dmax«233Q,/?max=(V-[/D)//Dmin=。U、N/7\」0"oi八j3-°C时/cb()=32uA。1・13选用B=100、7cbo=10UA的管了,JI•温度稳定性好。(a) (b)、屮、下管脚,%b=0时,T截止,“o=12V。当Ubb=1V时,T处于放大状态。因为,bq=~~-~~]~~2~=60uA、/Cq=0,bq=3mA,uo=Vcc-【cqRc=9V当%b=3V时,T处于饱和状态。因为=I60rA,/Cq=0/Bq=8mA,UO=Vcc—ICqRc<=Ube,若管子饱和,=比匸如,瓦=0R(、,所以0»金=100管子饱和。Rb Rc 《i=0时,晶体管截止,稳压管击穿,“o=—”z=—5V°当“i=—5V时,晶体管饱和,“()=。因为/==480pA他|,cI=0|,b|=24mAf/Ec=Vcc-|/c|/?c<Vcc1・19(a)可能(b)可能(c)不能(d)不能,T会损坏。(e)-,DSS(1“GS)2^GS(th)逐点求岀确定的“Gs下的b,可近似tai岀转移特性和输出特性。在输出特性小,将各条曲线上Wd=Ugs(off》的点连接起来,便为予夹断线。③②1<J>“DS为某一确定值(如15V)作垂线,读出它与各条输出特性的交点的张值;建立iD=f(“GS)坐标系,根据前血所得坐标值描点连线,便可得转移特性。w,=4V时T夹断,Wl=8V时T工作在恒流区,尙=12V时T工作在可变电阻区。(a)可能(b)不能(c)不能(d)可能第二章基本放大电路自测题一、 (1)X(2)V(3)X(4)X(5)V(6)X(7)X二、 (a)不能。因为输入信号被%b短路。(b)可能不能。因为输入信号作用于基极与地Z间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。不能。因为输入信号被C?短路。不能。短路,怛为零。可能。 (h)不合理。因为G・S间电压将大于零。(i)不能。因为T截止。二、⑴(Vcc—"beq)〃bq565;(VCc-Uceq)/0?bq3⑵-久/s・120;Rl•“。+心四、(1)A(2)C(3)B(4)B五、⑴C,DE(2)B(3)ACD(4)ABDE(5)C(6)六、 1BCE, (a)改为+Vcc。(b)在+Vcc与基极之间加心。将Vbb反接,且加输入耦合电容。在Vbb支路加心,;将电容开路即为直流通路,图略。(a)(02