表面光电压谱.pptx

文档介绍：09:461表面光伏现象:原理、实验和应用王德军谢腾峰吉林大学化学学院2011年6月09:半导体材料导电类型的确定少数载流子扩散距离的测定表面态参数的测定纳米尺度表面光伏特性研究表面光伏气敏特性研究谱带认证09:46340-50年代,Brattain和Bardeen诺贝尔讲演揭开了表面光伏研究的序幕60年代,Johnson和Goodman等人利用SPV方法测量了少数载流子的寿命,并发展了少数载流子扩散长度的理论模型,奠定了硅太阳能电池的基础。70年代,Gatos等人系统地进行了亚带表面光伏的研究,对半导体的表面态进行了研究。90年代,SPV相关技术发展的最活跃,Lagowski等人用SPV扫描Si片表面,结合扫描探针技术的尖得到SPV测量,较大的改善了分辨率。09:464SurfacePhotovoltagephenomena:Theory,,YShapiraSurfaceScienceReports254(1999)1-20509:-:-:,p-型(上图)和n-型(下图)半导体与金属形成的势垒接触。固/固液/固气/固09:-型(左图)和p-型(右图)半导体材料在光诱导下,表面势垒高度(Vs)的变化过程。09:,一侧保持暗态,另一侧受光照射,两侧表面势垒高度(Vs)的变化。h暗态09:-