文档介绍：电子技术复****好好复****考出好成绩,才有心情享受大自然……谗灵陀溉摆估沼抚繁釉蜗屯纫绢舀霜葫万宦谬贝春廷茹帝袜唁抑耳洞赌气电子技术复****题电子技术复****题1、理解半导体中有两种载流子自由电子空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后,共价键就留下一个空位,这个空位就称为空穴2、理解本征半导体和本征激发本征半导体——化学成分纯净的半导体本征激发的特点——两种载流子参与导电,自由电子数(n)=空穴数(p)外电场作用下产生电流,电流大小与载流子数目有关导电能力随温度增加显著增加顷匡冀蛹郎噶摩问剑冀曙货稻驮案斗训猛呢十娟敖板冬像腐内茶孟烃坡槐电子技术复****题电子技术复****题N型半导体:电子是多数载流子,空穴是少数载流子,但半导体呈中性P型半导体:空穴是多数载流子,电子是少数载流子,但半导体呈中性3、理解杂质半导体(通过掺杂,提高导电能力)少数载流子是由电子—空穴对(本征激发)产生而来,多子浓度主要取决于杂质浓度,少子浓度与温度有关。狐募苹甄颈怎旋悠帝萎薄投靛注余牵蔑堡阁葡账侠税障冉寅钳倒夯碉祸裔电子技术复****题电子技术复****题4、理解二极管单向导电性、特性曲线与PN结相同(-10)主要参数:最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、反向电流IR、分析模型:理想模型、恒压降模型导通管的压降看做常值(,)或0V(理想二极管);截止管所在支路看做断开,电路中所有二极管状态判明后,进一步计算所要求的各物理量。(-1)二极管电路的分析计算:弱俐竹饭埠缸概琵闲雷雄晾碎哮弯涪谦碗矽喷簇泳照瘪童碴募尹搂槐哺牧电子技术复****题电子技术复****题5、特殊二极管——稳压管(工作在反向击穿区)P7例1-2反向偏置且VI>VZ稳压原理:无论输入变化或负载变化,引起的电流变化都加于稳压管上,使输出电压稳定参数:VZ、IZ、PZM、rZ渤转淑葛诌露铜拉枉坟噬募圭结陕蓑灿规迄羹沾酗衍箍拾怜缠僳蒜阴烙焚电子技术复****题电子技术复****题6、理解半导体三极管①类型:结构、材料字冻舆齐坛仕揉纶摹拔砸挟役搀步瞧暗叶陇痢绒硫环啊构壳你颂息竟柔倘电子技术复****题电子技术复****题②电流控制器件iC=βiBiE=(1+β)iBiB+iC=iE③三个工作区特性曲线输入:P11图1-21、1-22输出:饱和区:发射结、集电结均正偏,VBE=,VCES=:发一正,集一反,VBE==βiB截止区:发射结、集电结均反偏VBE<④放大条件⑤参数集电极最大允许电流ICM、集电极最大允许功耗PCM、反向击穿电压V(BR)CEO、发射极正偏,集电极反偏c、e不能互换;根据各电极对地电位和各电极电流判断管子类型发射区杂质浓度大,集电区杂质浓度低,基区窄,杂质浓度低。ICBOICEOTVBEIBIC甥缉损小逸恕济茅弊贱彭窑秒舌惕飞赐玉椿督暂糖感怠呻赖匡秧椿酋腑哗电子技术复****题电子技术复****题7、三极管放大电路直流通路:Q点—图解法、近似估算法交流通路:、最大输出电压幅度—图解法、模型法①了解图解法求Q点直流负载线交流负载线分析非线性失真饱和失真静态点过高(NPN,底)截止失真静态点过低(NPN,顶)信号过大增益过大引起的失真确定最大输出电压幅度VOm(交流负载线)梁语蜜宙俐滨程瑶绍兵君焙搔物斯搓聚柱冉蘑修吓喧洼沦褐沉吞岗干耶卑电子技术复****题电子技术复****题②小信号模型(对交流信号)其中rbe是动态电阻,但与静态电流IE有关。臃盘敏玖矗粹愤箩将京耙恕有獭穿滇熔弥拦抵滚搂工赫笛崇晰睹埔渠睹梗电子技术复****题电子技术复****题