文档介绍：化学气相沉积法制备碳化硅晶须院系:作者:学号:2目录摘要..............................................................................................................1ABSTRACT....................................................................................................2第一章引言..............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................4第二章利用CVD方法合成SICW.............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................8第三章总结与展望...............................................................................................................................................................................................................................................................................................121摘要摘要:SiC晶须是纳米级的短纤维,在取向方向上具有很高的机械强度,在生产生活中有着广泛的应用。本文回顾了利用化学气相沉积(CVD)技术合成SiC晶须的发展历史及发展现状,并介绍了这项技术的机理以及在复合材料中的应用。关键词:化学气相沉积;碳化硅;晶须;复合材料2AbstractAbstract:TheSiCwhisker(SiCw),