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Nd掺杂对BiFeO3薄膜微结构和电学性能的影响.pdf

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Nd掺杂对BiFeO3薄膜微结构和电学性能的影响.pdf

上传人:zhuhl0912 2014/4/3 文件大小:0 KB

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文档介绍

文档介绍:万方数据
掺杂对薄膜微结构和电学性能的影响高成杨静孟祥建伟林铁孙碌兰褚君浩红外与毫米波学报白引言近年来,,可由电场诱导产生磁矩的变化,、自旋电子器件方面,以及磁传感器等方面都有极其重要的应用前景¨’谔诺绮牧现校珺,一种典型的单相铁磁电材料,其为三角扭曲的钙钛矿结构,在室温下同时具有铁电序永镂露龋和头刺庞行尼尔温度巩,:—一—.中国科学院上海技术物理研究所红外物理围家重点实验室,上海;6Ψ洞笱Ъɑ牧嫌肫骷逃恐氐闶笛槭遥虾摘要:采用化学溶液方法,在/牡咨仙ち薔粼拥腂,,薄膜晶格变小,掺杂量为%时,,随着掺杂量的增加,介电常数和损耗减小,掺杂量为サ谋∧け硐殖龊芮康慕榈缟⑾窒蟛⒊鱿纸榈缢鸷某谠シ澹浞侠嗟掳菽P吞卣鳎随着掺杂量增加,薄膜的漏电流减小,在低电场下,电流输运遵从模型,在高场下,电流输运遵循P停治鼋峁砻鱊粼佣员∧の⒔峁购偷缪阅苡邢灾跋欤关键词:铁电薄膜;介电性能;掺杂;漏电流中图分类号:文献标识码:狫,,瓾,:.:..年—..,/.收稿日期:藁厝掌冢:韛基金项目:国家自然科学基金簧虾J凶匀豢蒲〗作者简介:高成,男,安徽芜湖人,博士,,琒,。甂%甌瓵。瑃篺籨;;:..:.,,籒畆
万方数据
实验醋酸,搅拌,,经过与菘舛哉眨飧鲈了半峰宽与掺杂量的关系,从图中可见随掺的入射波长,口是衍射峰的半高宽,茄苌浣算一,因而得到了广泛的关注旧欢环矫妫珺材料在其制备的过程中容易发生铁化合价态的波动¨’,从而产生较大的漏导;另一方面,身具有的低介电常数和低电阻率等性质。这些缺陷致使人们很难观测到牡缰突叵撸洗蟮穆电流已经成为芯亢陀τ玫囊桓鲋饕U习对胁粼痈男允怯行б种破渎┑,,使得∧さ穆┑缌鞯玫搅讼灾控制,,采用化学溶液沉积方法在哺堑膕牡咨现票噶瞬煌琋粼恿康唬籒髫.,..薄膜,同时对其微观结构以及电学性能进行了分析,,琌⒎治纯硝酸铋,篛约盎Т肯跛犷,篛V饕T希苑治龃勘宜作为溶剂,、硝酸铋和硝酸钕混合置于烧瓶中,加入所需量的丙酮,回流,∈保∧:湿膜在第下烘烤种樱膜中的溶剂蒸发;然后在第下热解,使薄膜中的有机物燃烧挥发;最后在第下晶化,,直至薄膜达到所需的厚度利用湎哐苌浞治鲆捶治薄膜的相结构,,⒌缌骷。∧

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