文档介绍：万方数据
掺杂对缺陷诱导的判缘挠跋邢怀中黄燕撕,张蕾张会媛王基庆红外与毫米波学报··。,掺杂后缺陷诱导的啪胤⑸忝鹞T#,宽带隙Ⅲ,磁性材料中利用的是电子自旋,磁性半导体材料中利用的是两者的结合,相应的器件3莆自旋电子学器件哂谐凸摹⒏咚俅娴怠⒓啥高和非易失性等优点已成为共识闐被提出来后,传统的观点认为它的磁性是由掺杂的磁性离子与半导体中导电载流子自旋电子的自旋交换作用以及磁性离子间的自旋交换作用引起的,如和等氧化物半导体经过、蚇裙山鹗的磁性离子掺杂后,,,越来越多的实验和理论发现:,如甖,甖,猅,:——.东华大学应用物理系,上海;泄蒲г荷虾<际跷锢硌芯克液焱馕锢硎遥虾6Ψ洞笱У缱庸こ滔担虾摘要:利用第一性原理局域密度自旋近似方法,:篠坏谝恍栽恚淮判中图分类号:文献标识码:甕,,,靴口,篠,.琀。,.琤收稿日期:..,修回日期:—基金项目:国家自然科学基金项目;钅作者简介:张蕾,女,黑龙江哈尔滨人,东华大学硕士研究生,主要从事第一性原理材料计算工作.·通讯作者::.甧粂....琋珼甆琒;瓺珽:——.·—:;籱瞝:...甈甅:—·,肿:—
万方数据
自旋极化的形式可以写成孕汀黄钩福蓍踇,籡占妒,.量下,纤锌矿结构蛉毕荽嬖谟盏汲邮的纠砺奂敖峁鼓P将相互作用项归入到交换关联势校于非自旋化系统,,打破了人们对传统磁性半导体的磁性作用机理的认识,,最近研究也发现了由局域电子自旋分裂及其相互作用而产生的局域磁矩,另外如一些碳材料由于缺陷的存在显示出铁磁性¨¨」在这些领域进行了一些研究,,,.复杂的多电子问题简化为单电子问题虼硕电子体系可以用单电子—:这种方法可以成功的应用在自旋磁矩的计算上‘.本文利用软件包中的模块,采用交换关联势近似,截断能量为郧【,尽量使掺杂在原胞中心位置,,氮化镓为宽禁带直接禁带半导体,最小能带间隙在悖艽间隙为诠烫逦锢硌е邢诵靠蠼峁刮A教六方密堆