文档介绍：存储器技术
第5章
内存储器概述
内存储器的基本结构
存储器是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。
构成存储器的存储介质,目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元,它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元,然后再由许多存储单元组成一个存储器。
内存储器的基本结构
内存储器概述
内存储器的数据组织
字节地址、字地址、大端(Big Endian)和小端(Little Endian)存储方式、字对齐和字不对齐。
例如,32位存储字12345678H存放在内存地址为0004中,如图5-2所示。
内存储器概述
内存储器概述
内存储器的主要技术指标
存储容量:指存储器可以容纳的二进制信息量,以存储器中存储地址寄存器MAR的编址数与存储字位数的乘积表示。一般一个半导体芯片有M位地址线,N位数据线,则该半导体芯片的存储容量为2M×N位。
内存储器概述
内存储器的主要技术指标
存取速度:
“存取时间”(Access Time)TA:从启动一次存储器操作,到完成该操作所经历的时间;
“存储周期”(Memory Cycle)TMC:连续启动两次独立的存储器操作之间的最小时间间隔。
通常存储周期TMC略大于存取时间TA。
内存储器概述
内存储器的主要技术指标
存储器带宽:指单位时间里存储器存取的信息量。通常以位/秒或字节/秒作为度量单位。存储器带宽是衡量存储器数据传输速率的重要技术指标。
可靠性:用平均故障间隔时间MTBF(Mean Time Between Failures)来衡量。MTBF越长,可靠性越高。内存储器常采用纠错码技术来延长MTBF以提高可靠性。
内存储器概述
内存储器的分类
按存储方式可分为随机读写存储器RAM和只读存储器ROM。
RAM可分为静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两种。
ROM有掩膜ROM(Masked ROM)、PROM(Programmable ROM)、EPROM(Erasable Programmable ROM)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)和闪速存储器(Flash Memory)等几种。
内存储器概述
RAM芯片的结构、工作原理及典型产品
RAM基本存储元电路
基本存储元:基本存储元是组成存储器的基础和核心,它用来存储一位二进制信息0或1。
(SRAM存储元的电路图)
(DRAM存储元的电路图)