文档介绍：第一阶段学****周程秀一、单元名称命名(大小写依据实剧#况可变动):例如:nmos单元命名以此类推:pmos管:P_40_10_S2——:INV_40_10——:PNP—AREA100—-pnp管的发射区面积为100NPNAREA100—-npn管的发射区面积为100二极管:DAREA100—-二极管的N区面积为100门电路:AND2_4010——:CAREA100—-电容两极板正对面积为100电阻:R1040M2(S2)-一电阻_宽1・(串联个数2)二、使用ChipLogicAnalyzer提图1、 仔细阅读菜单栏里“帮助”一“用户手册”内容。初步了解这款软件的功能和使用。2、 线网绘制:(1)按N键便可进入画线状态,在此状态下,按F3可对画线功能进行设置,一般选择45度角和连续画线。(2)在绘制过程中,描线尽可能位于实图金属线的屮间,还要注意实图引线上接触孔的识别,有的是连接孔,有的是层与层之间的通孔。(3)当同层画线出现交叉时,会报错,首先先确认,在此位置的实图上同层金属是否相连,便按照“用户手册”上的说明操作。ChipLogicAnalyzer不能创建引线:新加入的线网和己有线网交叉>不能创建这样的线网。确定tai线时出现交叉 报错提示解决办法:将线头靠近后,按Insert出现绿色光圈,将它移至要连接处,按Q就能连上,并在连接处产牛一个节点。(4)在连接两层金属层时需要打孔,打孔的吋候必须确认实图上确实有连接。在Insert状态下,将光圈移至需要连接处,按Q键就可实现两层间金属的互联。若是十字形孔,则将空心圈的圆心移至两层画线相交处,按0便可连接上。两层金屈间非I•字孔熨连接两层金属间非十字孔型连接注意:在连接十字孔型是,绿色光圈的小心要位于交叉点上。(5)在线网绘制这一块,要求工作人员仔细认真,不要出现漏,错画等现象,减少后面ERC检查报错。(主要有线头悬空、线网重名报错现象)3、创建单元模版:(1)对各种元器件的识别要正确,小组成员间的测量步进要相同。(详见下而第(4)点)- _由多晶构成的电阻mos单管等效多晶一引线丿等效由多晶和多晶二多晶•再I线多晶一引线孔Ci多晶二引线孔集电区(Collector)基区(Base发射区(Emitter)C.(2)在编辑单元模版吋,器件的类型名称要与PDF文件屮的相同,单元名称参照本文档第一部分进行编写,必须符合Verilog语言命名规范,在编辑模版吋,创建门电路各引角吋,注意标注输入、输出和双向属性等信息。单元引脚连线:引脚与线网之间的互联不是随意的,以P_sub为例,在能通过简单分析确认的前提下,pinos管的S端接高电位,D接低电位,衬底电位B与井接触孔相连,nmos管的S端接低电位,D接高电位,B端与隔离墙的接触孔或者G\D和连。单个器件,如倒向器,门电路等在编辑模版吋要标注VP端。(4)单个器件的辨别:A、电容:面积为上下极板的正对面积,仔细辨别确认电容的个数和类型,一般有mos电容和多晶电容。B、 电阻:在多晶层时,两接触孔之间的距离为电阻的长,垂直于该方向上的多晶宽度则为电阻的宽。正确分析电阻之间的连接关系,在编辑模版是标注出来,若在两电阻连点处有金属线链接出去,则要分开单独提取。C、 二极管:正确测量各项参数,确认各区域类型。(可通过衬底类型來判断)D、 三极管:正确测量各项参数,确认各区域类型。(可通过衬底类型来判断)E、 pmos>nmos>组合电路:注意正确判断衬底电位,源漏端的连接,输入、输出端的连接,宽、长参数的测量。4、ERC验证:(1)悬空线头:A、通孔或连接点处有小线头未去除。方法:按Tnsert将画笔空心圈移至报错出按Q便可除去•有的线头是可除去的,或者在画笔状态下将空心圈移至线头处按F9,便会标记上悬空标记。按F9按TnsertB>线网断连:同层画线或邻层画线木应相连却未连接,方法:Insert将画笔空心圈移至报错处按Q便可连接上。C、未连引脚:一些单元的端口漏连。方法:通过对实图的分析判断,将其正确连接便可。有的引脚确实未与任何器件相连,则给此报错端口打上悬空标记便可。(2) 悬空的引脚连接器:A、是由于工作人员在变动单元模版后,未修正各引脚的连接,致使模版以及以此模板的实例单元各引脚出现此类错误。B>重叠的引线孔,由于误操作引起的。(3) 多个不连通的线网同名:这是由于先前一•些接触点和通孔的连接错误,并且对某个pin的名字进行了传播,在对ERC检查结果修正后,便出现一个线网被分为两个或多个同名线网。(4) -个线网存在多个名字:这是由于先前一些独立的线网,并且对pi门的名字进行了传播,在修正连接点错