文档介绍：第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否止确,用“J”和“X”表示判断结果填入空内°(1) 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()(2) 因为N型半导体的多子是自曲电子,所以它带负电。()(3) PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()(4) 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()(5) 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其Rgs大的特点。()(6) 若耗尽型N沟道MOS管的Ugs大于零,则其输入电阻会明显变小。()解:(1)J(2)X(3)V(4)X(5)J(6)X二、选择正确答案填入空内。(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 。变窄 (2) 设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是 〃 C./s(e(z/^-l)(3) 稳压管的稳压区是英工作在 (4) 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 前者反偏、后者也反偏前者止偏、后者反偏前者止偏、后者也正偏(5) UGs=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 。:(1)A (2)C(3)C(4)B(5)AC三、,设二极管导通电压UD=<?+如-6I^VT2VY+心一y丁DV2-?心-O丁DV2050+:Uoi~l・3V,心2=0,Uo3〜一1・3V,Uo严27,U05^,Uo6~—2V。四、Cl知稳压管的稳丿卡■值Uz=6V,稳加电流的最小值IZinin=5111A©。+KO czi+2kQ10V2kSU九(b):t/ol=6V,%2=5V°五、,其集电极最大耗散功率PCM=200mW,试画出它的过损耗区。 :根据PCM=200mW可得:"ce=40V时/c=5mA,〃ce=30V时Ic~,Uce=20V吋Ic=10mA,UCe=10V时/c=20mA,将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,。临界过损耗线的左边为过损耗区。六、,Vcc=15V,H=100,Ube=。试问:Z?b=50kQ吋,uo=?若T临界饱和,则R严2解:(1)心=50kQ吋,基极电流、集电极电流和管压降分别为=26卩AIc=/?/B==VCC-ICRC=2V所以输出电Uo=Uce=2Vo(2)设临界饱和吋Uces=Ube=,所以==//A他二咛仏",它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。^GS(th)/VDs/V〃g/VUd/V工作状态Ti4-513t2-43310Ta-4605解:因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态,。)/Vt/s/VVg!N心/v工作状态T)4-513恒流区t2-43310截止区t3-。在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,加入 元素可形成P型半导体。 ,二极管的反向饱和电流将 。 ,如果当人从12uA增大到22uA时,7c从1mA变为2mA,那么它的0约为 。 ,它的低频跨导gm将 。 :(1)A,C(2)A(3)C(4)?为什么?解:不能。因为二极管的止向电流与英端电压成指数关系,,管子会因电流过大而烧坏。,已知心=lOsin®/(v),试画出尙与"的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。:论和%。。1-,己知u=5sinojt(V),二极管导通电压UD=“o的波形,并标出幅值。]3—(b):。(a)所示,其输入电压心1和弘|2的波形如图(b)所示,二极管导通电压”d=。试画出输出电压“°的波形,并标出幅值。g/V*3-0