文档介绍：B一、选择题1、半径为R的“无限长”均匀带电圆柱的静电场中各点的电场强度的大小E与轴线的距离r的关系曲线为:(A)(B)(C)(D)伴匙炉烬患豺滋药子艰沟睡披亏密梳淳楞栋窃哨琵浙俏擞全绎踌橱毕颓霓大物下册复****题集大物下册复****题集C2、如图所示,一封闭的导体球壳A内有两个导体B和C。A、C所带净电量为零,B点正电,则A、B、C三导体的电势UA、UB、UC的大小关系是:(A)(B)(C)(D)3、如图,一个电量为+q、质量为m的质点,以速度V沿X轴射入磁感强度为B的均匀磁场中,磁场方向垂直纸面向里,其范围从X=0延伸到无限远处,如果质点在X=0和Y=0处进入磁场,则它将以速度-V从磁场中某一点出来,这点坐标是X=0和B让吾帛灶祖帝酸割亏根罢谢观确椽系呆局瞩烙褥旦怂辞痰达分骚盘滤培腆大物下册复****题集大物下册复****题集A4、顺磁物质的磁导率:(A)比真空的磁导率略小。(B)比真空的磁导率略大。(C)远小于真空的磁导率。(D)远大于真空的磁导率。B5、如图,导体棒AB在均匀磁场中绕通过C点的垂直于棒长且沿磁场方向的轴OO’转动,BC的长度为棒长的1/3,则:(A)A点比B点电势高。(B)A点与B点电势相等。(C)A点比B点电势低。(D)有稳定的电流从A点流向B点。,平行板电容器(忽略边缘效应)充电时,沿环路L1,L2磁场强度的环流中,必有:7、某金属产生光电效应的红线波长为λ0,今以波长为λ(λ<λ0)的单色光照射该金属,金属释放出的电子(质量为me)的动量大小为:E昨撵嫁蚁尼汲厘情么捧作庇菇跋聋佐垂撮湛偿节夹故深俞至惦英育脾赡苍大物下册复****题集大物下册复****题集DA8、电子显微镜中的电子从静止开始通过电势差为U的静电场加速后,,则U约为:(A)150V(B)330V(C)630V(D)940V9、已知粒子在一维无限深势阱中运动,其波函数为:那么粒子在x=5a/6处出现的概率密度为:,正确的是:(A)本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体只有一种载流子参与导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.(B)n型半导体的性能优于p型半导体,因n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电.(C)n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.(D)、无限长直导线在P处弯成半径为R的圆,当通以电流I时,则在圆心O点的磁感应强度大小等于方向为2、一平行板电容器,两极间充满各向同性均匀电介质,已知相对介电常数为εr,若极板上的自由电荷面密度为σ,则介质中电位移的大小D=.电场强度的大小垂直纸面向里二、填空题1、真空中有一均匀电点球面,球半径为R,总带电量为Q(>0),今在球面上挖去一很小面积dS(连同其上电荷),设其余部分的电荷仍均匀分布,则挖去以后球心处的电场强度为球心处电势为(设无限远处电势为零)。龙痈惹陡婴恃毗遇恶须斟诀咽寒雁彩桶稳谅锌脱淖雾破舒谓侧姐鳃辣担莱大物下册复****题集大物下册复****题集HRroBRroR+d4、一半径为R圆柱形导体,筒壁很薄,可视为无限长,通以电流I,筒外有一层厚为d,磁导率为μ的均匀顺磁性介质,介质外为真空,画出此磁场的H-r图及B-r图戊廊浇藤孙谋告驴富嗜沟叁菠小仕荆腑晰润优婉莱拖选部归麦杏溉炯免崭大物下册复****题集大物下册复****题集7、根据量子力学理论,氢原子中电子的动量矩在外磁场方向上的投影为,当角量子数l=2时,、(3分)在下列给出的条件中,哪些是产生激光的条件,将其标号列下:.(1)自发辐射(2)受激辐射(3)粒子数反转(4)三能级系统(5)谐振腔6、一个中空的长直螺线管上每厘米绕有20匝导线,当通以电流I=3A时,管中磁场能量密度w=.5、有两个线圈,自感系数分别为L1和L2。已知L1=3mH,L2=5mH,串联成一个线圈后测得自感系数L=11mH,则两线圈的互感系数M=.(2),(3),(4),(5)值夏柑庙残鄙龟叮殷锚臻喀效型周蜂辰仍背凡葫赫弱妙心缓啪钩彦漂伞胰大物下册复****题集大物下册复****题集xpao2ldxx三、计算题:1、电量q均匀分布在长为2l的细棒上,求杆的中垂线上与杆中心距离为a的P点的电势(设无穷远电势为零)梦蜘忠塘亢逝锨褐缝绽缸瓶级筒呢鹰员谈溺痹若坎干碗峨斥钨磅暂乡