文档介绍：在1960年以前,大部分电子线路是依靠真空管来完成放大和整流关键任务。1947年,双极晶体管问世,标志着固体化变革开始。半导体集成电路从三个方面定义一:从电路性能上看。二:从版图设计上看。三:从IC制作工艺上看。,通过连线实现元器件之间的功能连接,通过隔离实现元器件之间的电学隔离,最终完成指定功能的微电子功能块或系统。,才能看到IC的本来面目。它有覆盖在表面上的错综复杂纠缠在一起的微观布线,以及在布线下大量错综复杂的掺杂硅的图形。每一个多边形的形状、位置要求对器件物理、半导体IC制造工艺及电路理论原理的完全理解。。这些杂质调制了晶体的电学性质,允许完成放大或调制电子信号的功能。作为一个从事电子信息领域的大学生,必须兼备上述三个方面的基础知识,融会贯通,才能得心应手,成为一个全面的工程技术人才。没有扎实的工艺基础很难设计出好的集成电路版图,也很难制作出合格的集成电路。因此,学好集成电路工艺基础,就是为自己在集成电路设计、集成电路制造专业上学一门有用的知识。(具体数字见下表),便宜而Ge,GaAs材料来源稀少,提纯困难,控制单晶困难。地球岩石圈和土壤的主要化学组成(重量%)。和化合物半导体相比,能够经受各种工艺处理而不分解。(Eg(Si)=)较锗(Eg(Ge)=)的宽。因此,硅材料器件可工作于较高温度下(125~175℃)而锗不行。,而热生长的SiO2紧密依附硅表面,保护了硅表面,能抗机械、化学损伤防玷污。具有良好的绝缘性,对某些杂质能起到掩蔽作用。SiO2膜结实、稳定,而锗、砷化镓的氧化物没有这一特点。,用特定腐蚀液可以在指定窗口处开出窗口,暴露出硅表面,为扩散、注入等掺杂工艺提供了前提条件。在此过程中充分利用了Si、SiO2的选择腐蚀性及Si、SiO2的选择扩散性。基于以上优点,促成硅集成电路迅速发展。第一章:硅的晶体结构本章主要内容掌握硅材料的特点、硅的晶体结构、原子线密度、面密度的计算、杂质补偿原理了解硅单晶的生长了解缺陷的类型、特点,固溶度等。★重点硅材料的特点、Å℃沸点Boilingpoint2900℃硅的基本参数