1 / 28
文档名称:

基于51单片机电子密码锁设计说明.doc

格式:doc   大小:1,553KB   页数:28页
下载后只包含 1 个 DOC 格式的文档,没有任何的图纸或源代码,查看文件列表

如果您已付费下载过本站文档,您可以点这里二次下载

分享

预览

基于51单片机电子密码锁设计说明.doc

上传人:w3332654 2020/4/8 文件大小:1.52 MB

下载得到文件列表

基于51单片机电子密码锁设计说明.doc

相关文档

文档介绍

文档介绍:一、,传统的机械锁由于其构造简单,被撬的事件屡见不鲜,使人们的人身及财产安全受到很大威胁。电子密码锁是一种依靠电子电路来控制电磁锁的开与闭的装置,***需要输入正确密码,若密码泄露,用户可以随时更改密码。因此其保密性高,使用灵活性好,安全系数高,可以满足广大用户的需要,现在广泛使用的有红外遥控电子密码锁,声控密码锁,按键密码锁等。,根据基本要求规划单片机密码锁的硬件电路和软件程序,同时对单片机的型号选择、硬件设计、软件流程图、单片机存储单元的分配等都有注释。现在很多地方都需要密码锁,电子密码锁的性能和安全性大大超过了机械锁,为了提高密码的保密性,必须可以经常更改密码,以便密码被盗时可以修改密码。本次设计的密码锁具备的功能:LED数码管显示初始状态“——————”,用户通过键盘输入密码,每输入一位密码,LED数码管相应有一位变为“P”,若想重新输入密码,只需按下“CLR”键。密码输入完毕后按确认键“#”,密码锁控制芯片将输入的密码与密码锁控制芯片中存储的密码相比,若密码错误,则不***,会有红灯亮提示,同时显示“Error”。若正确,则***,会有绿灯亮提示,同时显示“PASS”。用户可以根据实际情况随意改变密码值或密码长度,密码输入正确后可以按下“CHG”修改密码,输入新密码时每输入一位新密码相应有一位变为“H”,以便提示用户此时输入的是新密码,修改新密码时若想重新输入新密码只需按下“CLR”键即可。输入新密码后按确认键即修改成功,新密码写入单片机内部RAM中,以便以后用来确认密码的正确性。按下复位键,系统恢复初始状态,密码也恢复初始密码,本设计中初始密码是“096168”。本次设计中硬件主要由我完成,软件主要由张振完成。二、、电源电路、输入键盘电路、输出显示电路、***电路等组成,系统框图如图1所示:单片机最小系统键盘电路数码管显示控制***:单片机最小系统包括单片机、晶振电路、复位电路等,最小系统是整个系统的核心部分,也是设计中首先应该设计的部分,其中单片机的选择直接决定着之后整个设计应该如何进行,因为我们刚刚学完单片机,学****时是以MCS-51单片机为主的,对51系列单片机最熟悉,因此决定选用51系列单片机,51系列单片机中Atmel89C51应用最为广泛,且价格较低,性能完全能满足本次设计,因此决定选用AT89C51芯片。AT89C51外形及引脚排列如图2所示:图2AT89C51外形及引脚排列AT89C51主要特性: ·与MCS-51兼容·4K字节可编程闪烁存储器·1000次写入/擦除循环·数据保留时间:10年·全静态工作:0Hz-24MHz ·三级程序存储器锁定·128×8位内部RAM ·32可编程I/O线·两个16位定时器/计数器·5个中断源·可编程串行通道·低功耗的闲置和掉电模式·,引脚XTAL1和XTAL2分别是该放大器的输入端和输出端。这个放大器与作为反馈元件的片外石英晶体一起构成自激振荡器,晶振电路如图3所示。石英晶体振荡电路对外接电容C2和C3虽没有十分严格的要求,但电容容量的大小会轻微影响振荡频率的高低、振荡器工作的稳定性、起振的难易程度,一般电容使用30pF±10pF,这里使用30pF的独石电容。因此晶振电路中使用12M晶振,30pF独石电容。。结合实际需求,本次设计加入了手动复位。RC构成微分电路,在接电瞬间,产生一个微分脉冲,其宽度若大于2个机器周期,80C51型单片机将复位,为保证微分脉冲宽度足够大,这里取10μF电容、10KΩ电阻。若按下复位键,则C1被短路,,产生的高电平时间足以使单片机复位图4复位电路关于复位电路的计算如下:AT89C51的最低复位电平是0.  V1为电容最终可充到的电压值   Vt为t时刻电容上的电压值则,   Vt=V1×[1-exp(-t/RC)]即,   t=RC×Ln[V1/(V1-Vt)],R1上电压均大于0.,即为有效复位电压,。将V1=Vcc,Vt=:0.=Vcc×[1-exp(-t/RC)]即[1-exp(-t/RC)]=; ∴exp(-t/RC)=   ∴-t/RC=ln()     ∴t/RC=ln()   ln()≈=。带入R=10K  C=10μF得。t=×10K×10uf=35ms∵时