文档介绍：霍尔效应目录·霍尔效应概述·霍尔效应原理·霍尔效应的应用·霍尔效应的定义·通过霍尔效应测量磁场霍尔效应概述霍尔效应 hall effect 是一种磁电效应,是德国物理学家霍尔 1879 年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。根据霍尔效应,人们用半导体材料制成霍尔元件,它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点,因此,在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到广泛的应用。通过该实验可以了解霍尔效应的物理原理以及把物理原理应用到测量技术中的基本过程。当电流垂直于外磁场方向通过导体时,在垂直于磁场和电流方向的导体的两个端面之间出现电势差的现象称为霍尔效应,该电势差称为霍尔电势差(霍尔电压)。霍尔效应原理所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是 1879 年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时,若在垂直于电流的方向施加磁场,则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显,而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应。利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。霍尔电位差 uh的基本关系为 uh=rhib/d (18) rh=1/nq (金属)( 19) 式中 rh——霍尔系数: n——载流子浓度或自由电子浓度; q——电子电量; i——通过的电流; b——垂直于 i的磁感应强度; d——导体的厚度。对于半导体和铁磁金属,霍尔系数表达式与式( 19)不同,此处从略。由于通电导线周围存在磁场,其大小与导线中的电流成正比,故可以利用霍尔元件测量出磁场, 就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不与被测电路发生电接触,不影响被测电路,不消耗被测电源的功率,特别适合于大电流传感。若把霍尔元件置于电场强度为 e、磁场强度为 h的电磁场中,则在该元件中将产生电流 i,元件上同时产生的霍尔电位差与电场强度 e成正比,如果再测出该电磁场的磁场强度,则电磁场的功率密度瞬时值 p可由 p=eh 确定。利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上,当装在运动物体上的永磁体经过它时,可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数,则可以确定其运动速度。霍尔效应在应用技术中特别重要。霍尔发现,如果对位于磁场(b) 中的导体(d) 施加一个电压(iv) ,该磁场的方向垂直于所施加电压的方向,那么则在既与磁场垂直又和所施加电流方向垂直的方向上会产生另一个电压(uh) ,人们将这个电压叫做霍尔电压,产生这种现象被称为霍尔效应。好比一条路,本来大家是均匀的分布在路面上,,(导体)的两侧,“霍尔效应”。方便起见,假设导体为一个长方体,长度分别为 a,b,d ,磁场垂直 ab平面。电流经过 ad,电流 i=nqv(ad) ,n为电荷密度。设霍尔电压为 vh,导体沿霍尔电压方向的电场为 vh/a。设磁场强度为 b。 qvh /a=qvb vh/a=bi/(nqad) vh=bi/(nqd) 霍尔效应的应用根据霍尔效应做成的霍尔器件,就是以磁场为工作媒体,将物体