文档介绍：NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS
F. Briones
Las nanoestructuras o estructuras de baja dimensionalidad fabricadas en semiconductores
(pozos cuánticos, superredes, hilos y puntos cuánticos) son la base de dispositivos
electrónicos (diodos túnel, transistores HEMT, etc.) y optoelectrónicos (moduladores y
conmutadores ópticos, diodos láser, detectores de IR). En el IMM se dispone de la ología
más avanzada para la fabricación de nanoestructuras: la epitaxia de haces moleculares (MBE)
de materiales III-V (GaAs, InP, InSb, etc.) A lo largo de los últimos quince años se ha ido
desarrollando esta ica en el IMM (diseñando e incluso construyendo los reactores de
epitaxia) hasta llegar a alcanzar reconocimiento internacional por las variantes y mejoras
introducidas y la transferencia de ología y patentes a multinacionales del sector. Este
desarrollo está sustentado en investigación básica sobre diversos aspectos fundamentales del
proceso, como son la cinética del crecimiento, la epitaxia por capas atómicas (ALMBE),
incorporación de impurezas, sistemas con desajuste del parámetro de red, distribución y
propagación de dislocaciones, segregación superficial, crecimiento anizado, control in
situ con diversas icas (espectroscopías ópticas (RDS), RHEED, dispersión de luz, medida
de tensión acumulada).
Laboratorio de crecimiento por epitaxia de haces moleculares (MBE). Vista de los dos reactores de
unicados entre sí por un túnel de transferencia. El sistema cuenta además con una
cámara de análisis Auger in situ y una cámara de sputtering.
Figura 1: Laboratorio de epitaxia de haces moleculares (MBE). Vista de los dos reactores de unicados entre sí por
un túnel de transferencia. El sistema cuenta además con una cámara de análisis Auger in situ y una cámara de sputtering.
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CRECIMIENTO DE NANOESTRUCTURAS AUTO-ENSAMBLADAS
J. M. García, L. González, Y. González, J. P. Silveira, F. Briones
Las nanoestructuras