文档介绍：氮化镓(GaN)基LED芯片工艺介绍四元(AlGaInP)氮化鎵(GaN)Sapphiren-GaNp-GaNAuSapphiren-GaNp-GaNTCLorITOSiO2Pad(CrPtAu)p-GaPp-AlGaInPn-AlGaInPn-GaAsp-GaPp-AlGaInPn-AlGaInPn-GaAsP-Pad背金芯片前端制程表面处理——强酸清洗台、甩干机光刻(Photolithography)——曝光机、匀胶机、烘箱、高倍显微镜,显影清洗台,台阶仪蚀刻(Etching)湿式蚀刻(WetEtching)——强酸清洗台干式蚀刻(DryEtching)——ICP蒸镀(Evaporation)——电子束真空镀膜机金属剥离(Lift-off)退火(合金)(Alloy)——退火炉二氧化硅沉积——PECVD芯片前端制程工艺表面处理液体清洗——抗强酸清洗台,甩干机H2SO4(98%)和H2O2(30%)不同比率混合,用于去除有机污染物和剥离阻SC-2(StandardClean2):HCl(73%),H2O2(30%),去用于去除金属污染物Plasma——ICP(干法清洗)调整ICP刻蚀气体组分,可去除少量芯片上残留光阻剂及有机污染物光刻(Photolithography)光刻胶(Photoresist):一种具有感光成像功能的制程材料,主要含有高分子树脂、感光化合物、溶剂等;正光阻:光阻的一种,这种光阻的特性是将其曝光之后,感光部分的性质会改变,并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。 负光阻:光阻的一种类型,将其曝光之后,感光部分的性质被改变,但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反,其感光部分在将来的显影过程中会被留下,而没有被感光的部分则被显影过程去除。光罩(Mask):一石英玻璃,上面会镀上一层影像。(,p-pad,n-pad)其原理和拍照一樣。光刻(Photolithography)光刻工艺流程:预烘烤——加热板上光阻剂(匀胶)——匀胶机软烘烤——烘箱曝光——曝光机(光刻机)显影——去光阻显影台显影检查——高倍显微镜硬烘(坚膜)——烘箱厚度测试——台阶仪匀胶曝光蚀刻(Etching)干式蚀刻原理:蚀刻(Etching)湿式蚀刻与干式蚀刻的对比:蚀刻前湿式蚀刻后干式蚀刻后蒸镀(Evaporation)电子束蒸镀法是利用电子枪所射出的电子束轰击待镀材料,将高能电子射束的动能转化为熔化待镀材料的热能,使其局部熔化。因在高真空下(4×10-6torr)金属源的熔点与沸点接近,容易使其蒸发,而产生的金属蒸气流遇到晶片時即沉积在上面。蒸镀源:SiO2、Cr、Pt、Au、Ni、ITO、Ti、Al等,主要应用于蒸镀LED芯片正负电极及其透明导电层。蒸镀(Evaporation)蒸镀原理