文档介绍：[ 问题讨论] 怎么分析晶体管放大器的电路,Ib,c,e 方向怎么考虑? KG5 一粒金砂芯币 310 枚?个人空间?发短消息?加为好友?当前离线 KG5 的全部文章楼主大中小发表于 2010-2-23 09:43 只看该作者怎么分析晶体管放大器的电路,Ib,c,e 方向怎么考虑? 怎么分析晶体管放大器的电路,Ib,c,e 方向怎么考虑?TOP ↑ TOP ↑ lixiaohai8211 红海版主芯币 5347 枚?个人空间?发短消息?加为好友?当前离线 lixiaohai8211 的全部文章板凳大中小发表于 2010-2-23 18:42 只看该作者三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管, 晶体三极管, 是一种电流控制电流的半导体器件. 其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关。什么是三极管三极管(也称晶体管)在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称, 我们常说的三极管,可能是如图所示的几种器件, 可以看到,虽然都叫三极管,其实在英文里面的说法是千差万别的,三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译,这是和电子三极管最早出现有关系的, 所以先入为主, 也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西, 实际翻译的时候是绝对不可以翻译成 Triode 的, 否则就麻烦大咯,严谨的说,在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇!!! 电子三极管 Triode (俗称电子管的一种) 双极型晶体管 BJT ( Bipolar Junction Transistor ) J型场效应管 Junction gate FET ( Field Effect Transistor ) 金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor) 英文全称 V 型槽场效应管 VMOS ( Vertical Metal Oxide Semiconductor ) 注:这三者看上去都是场效应管,其实结构千差万别 J 型场效应管金属氧化物半导体场效应晶体管 V 沟道场效应管是单极( Unipolar ) 结构的,是和双极( Bipolar )是对应的,所以也可以统称为单极晶体管( Unipolar Junction Transistor ) 其中 J 型场效应管是非绝缘型场效应管, MOS FET 和 VMOS 都是绝缘型的场效应管 VMOS 是在 MOS 的基础上改进的一种大电流, 高放大倍数( 跨道) 新型功率晶体管, 区别就是使用了 V 型槽,使 MOS 管的放大系数和工作电流大幅提升,但是同时也大幅增加了 MOS 的输入电容,是 MOS 管的一种大功率改经型产品, 但是结构上已经与传统的 MOS 发生了巨大的差异。 VMOS 只有增强型的而没有 MOS 所特有的耗尽型的 MOS 管[ 编辑本段] 三极管的发明 1947 年 12月 23 日,美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里, 3 位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。 3 位科学家惊奇地发现,在他们发明的器件中通过的一部分微量电流,竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流,因而产生了放大效应。这个器件,就是在科技史上具有划时代意义的成果——晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的,而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响,所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。另外这3位科学家因此共同荣获了 1956 年诺贝尔物理学奖。晶体管促进并带来了“固态革命”,进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件,它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用,并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构,集成电路以及大规模集成电路应运而生,这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。[ 编辑本段] 工作原理晶体三极管( 以下简称三极管) 按材料分有两种: 锗管和硅管。而每一种又有 NPN 和 PNP 两种结构形式, 但使用最多的是硅 NPN 和锗 PNP 两种三极管, 两者除了电源极性不同外, 其工作原理都是相同的,下面仅介绍 NPN 硅管的电流放大原理。对于 NPN 管,它是由 2块N 型半导体中间夹着一块 P 型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN 结称为发射结, 而集电区与基区形成的PN 结称为集电结, 三条引线分别称为发射极e、基极 b和集电极 c。当b 点电位高于 e 点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而 C 点电位高于 b 点电位几伏时,集电结处于反