第2章三极管及放大电路.ppt

文档介绍：半导体三极管 基本放大电路 放大电路的静态工作点对输出波形的影响 放大电路的直流偏置方式 放大电路的三种组态 放大电路性能指标的估算 多级放大电路 放大电路的频率特性本章小结 半导体三极管 三极管的结构三极管是由两个 PN结构成的,其基本特性是具有电流放大作用。三极管按其结构不同分为 NPN 型和 PNP 型两种。相应的结构示意图及电路符号如图 所示。图 三极管的结构及符号三极管内部结构分为发射区、基区和集电区, 相应的引出电极分别为发射极 e、基极 b和集电极 c。发射区和基区之间的 PN 结称为发射结,集电区和基区之间的 PN 结称为集电结。电路符号中,发射极的箭头方向表示三极管在正常工作时发射极电流的实际方向。三极管在制作时,其内部结构特点是: (1 ) 发射区掺杂浓度高; (2 ) 基区很薄,且掺杂浓度低; (3 ) 集电结面积大于发射结面积。以上特点是三极管实现放大作用的内部条件。三极管按其所用半导体材料不同,分为硅管和锗管; 按用途不同,分为放大管、开关管和功率管; 按工作频率不同,分为低频管和高频管; 按耗散功率大小不同,分为小功率管和大功率管等。一般硅管多为 NPN 型,锗管多为 PNP 型。 三极管的电流放大作用 : 发射结正偏,集电结反偏,此时,各电极电位之间的关系是: NPN 型U C>U B>U E PNP 型U C<U B<U E如图 所示。图 三极管放大的外部偏置条件 是 NPN 管放大实验电路。图 放大实验电路电路中的三极管的偏置满足发射结正偏,集电结反偏。发射结正偏,可使发射区的多子(自由电子)通过 PN 结注入到基区,以形成基极电流 I B; 集电结反偏,使集电极电位高于基极电位,于是在集电结上有一个较强的电场,把由发射区注入到基区的自由电子大部分拉到集电区,形成集电极电流 I C。调节 R b,改变 I B的大小,得出相应的 I C和I E的数据,如表 所示。