文档介绍：第2章三极管及其基本放大电路 半导体三极管 放大电路的基本组成 共射基本放大电路 工作点稳定的电路 射极输出器 多级放大电路 半导体三极管频率: 频率: 高频管、低频管功率: 功率: 材料: 材料: 小、中、大功率管硅管、锗管类型: 类型: NPN 型、 PNP 型?半导体三极管中有两种不同极性电荷的载流子参与导电,故称之为双极型晶体管,又称晶体三极管,我们通常简称三极管。?以下为几种常见外形。 三极管的结构类型与符号三极管的结构类型与符号发射结集电结基极发射极集电极晶体三极管是由两个 PN结组成的发射区基区集电区半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。在放大工作状态: 发射结加正向电压,集电结加反向电压。 三极管的电流分配关系和放大作用共集电极接法:集电极作为公共端; 共基极接法:基极作为公共端。共发射极接法: 发射极作为公共端; 各极电流之间的关系式 CEO BCIII???: ?共发射极电流放大系数。 B EII)1(???I E =I C+I B?>>1 I E/ mA I C/ mA 100 80 60 40 20 0I B/ uA计算结果表明,微小的基极电流变化, 可以控制比之大数十倍的集电极电流, 这就是三极管的电流放大作用。通过了解三极管内部载流子的运动,可以解释晶体管的电流放大原理。 三极管的特性曲线 i B是输入电流, u BE是加在 B、E两极间的输入电压。一、输入特性曲线—i B=f(u BE)? v CE = 常数共发射极接法的输入特性曲线其中 v CE=0V 的那一条相当于发射结的正向特性曲线,当 v CE≥1V时, 特性曲线将向右稍微移动一些。但 v CE再增加时, 曲线右移很不明显。导通电压锗管 ~ 硅管 ~ 二、输出特性曲线—i C=f(v CE)? iB = 常数 i C是输出电流,v CE是输出电压。⑴放大区: 发射结正偏、集电结反偏⑵截止区: I B=0以下的区域。⑶饱和区: 发射结和集电结均为正偏。 I C随着 V CE的变化而迅速变化。工程上以 V CE= 伏作为放大区和饱和区的分界线。 V CE大于 V左右(硅管) 。发射结和集电结均为反偏。例:测量三极管三个电极对地电位,试判断三极管的工作状态。放大截止饱和-+ 正偏反偏-+ +- 正偏反偏+- 放大 V c>V b>V e放大 V c<V b<V e发射结和集电结均为反偏。发射结和集电结均为正偏。例:测得 V B = V 、V E = V 、V C =8 V,试判断三极管的工作状态。放大 半导体三极管的参数①共射直流电流放大系数=(I C-I CEO )/I B≈I C / I B ? u CE= ?②共射交流电流放大系数?=?I C/?I B? u CE= 常数