微电子工艺——光刻技术.ppt

文档介绍：第5章光学光刻光刻概述光源光刻」曝光曝光方式刻蚀评价光刻工艺可用三项主要的标准:分辨率、对准精度和生产效率。定义光刻:是利用类似于洗印照片的原理通过曝光和选择性化学掩膜版上的集成电路图形印制到硅片上的精密表面加工目的:化硅、氮化硅、。三要素掩膜版、光刻胶和光刻机。光刻工艺流程涂光刻胶(正)选择曝光显影(第1次图形转移)刻蚀(第2次图形转移)光刻胶的涂敷和显影、脱水烘烤目的是去除硅片表面吸附的水分。也可利用前面的氧化或扩散工艺来实现增粘处理在烘烤后的硅片表面涂一层六***二硅亚***(HMDS),目的是增加硅片表面与光刻胶的粘附性。可采用蒸汽涂布法,也可采用旋涂法。涂胶一般采用旋涂法。涂胶的关键是控制胶膜的厚度与膜厚的均匀性。胶膜的厚度决定于光刻胶的粘度和旋转速度。例:转速500min,时间30sec,、前烘(软烘)目的是去除光刻胶中的大部分溶剂和稳定胶的感光特性。5、曝光