文档介绍：大学物理实验静电场描绘实验篇一:广工用模拟法测绘静电场实验报告篇二:《静电场的描绘》记录表格物理实验中心《大学物理实验》数据记录表专业班级姓名学号分组实验编组号№:实验九静电场的描绘一、各等位线半径测量记录游标尺精度:;零点读数值mmA电极半径:ra0?,B电极内半径:rb0?:Um?:a?:大学物理实验--实验五用模拟法测绘静电场NE...。。。。,其周围静电场的分布情况很难用理论方法进行计算。同时仪表(或其探测头)放入静电场,总要使被测场原有分布状态发生畸变,不可能用实验手段直接测绘真实的静电场。本实验采用模拟法,通过同心圆电极产生的稳恒电流场模拟同轴柱面带电体形状的带电体产生的静电场。一、模拟的理论依据为了克服直接测量静电场的困难,可以仿造一个与待测静电场分布完全一样的电流场,用容易直接测量的电流场去模拟静电场。静电场与稳恒电流场本是两种不同的场,但是两者之间在一定条件下具有相似的空间分布,即两种场遵守的规律在数学形式上相似。对于静电场,电场强度在无源区域内满足以下积分关系?E?ds?0?E?dl?0sl对于稳恒电流场,电流密度矢量J在无源区域内也满足类似的积分关系?J?ds?0?J?dl?0sl由此可见,E和J在各自区域中所遵从的物理规律有同样的数学表达形式。若稳恒电流场空间均匀充满了电导率为σ的不良导体,不良导体内的电场强度E?与电流密度矢量J之间遵循欧姆定律:J=?E?因而,E和E?在各自的区域中也满足同样的数学规律。在相同边界条件下,由电动力学的理论可以严格证明:具有相同边界条件的相同方程,解的形式也相同。因此,可以用稳恒电流场来模拟静电场。二、模拟长同轴圆柱形电缆的静电场利用稳恒电流场与相应的静电场在空间形式上的一致性,只要保证电极形状一定,电极电位不变,空间介质均匀,则在任何一个考察点,均应有“U稳恒=U静电”或“E稳恒=E静电”。以下以同轴圆柱形电缆的静电场和相应的模拟场——稳恒电流场来讨论这种等效性。(a)所示,在真空中有一半径为ra的长圆柱形导体A和一个内径为rb的长圆筒形导体B,它们同轴放置,分别带等量异号电荷。由对称性可知,在垂直于轴线的任一个截面S内,都有均匀分布的辐射状电力线,这是一个与轴向坐标无关而与径向坐标有关的二维场。取二维场中电场强度E平行于xy平面,则其等位面为一簇同轴圆柱面。因此,只需研究任一垂直横截面上的电场分布即可。距轴心O半径为r处[(b)]的各点电场强度为E=?r02??0r式中,λ为A(或B)的电荷线密度。其电位为Ur?Ua??raE?dr?Ua?若r=rb时Ur=Ub=0,则有r?rln()2??0raUa??2??0ln(rbra)代入式()得Ur?Ua距中心r处电场强度为ln(rbr)()ln(rbra)Er??U1dUr?a()rrdrlnbra若上述圆柱形导体A与圆筒形导体B之间不是真空,而是均匀地充满了一种电导率为σ的不良导体,且A和B分别与直流电源的正负极相连(),则在A、B间将形成径向?。可以证明不良导体中的稳恒电流场Er?与原真空中的静电电流,建立起一个稳恒电流场Er场Er是相同的。取高度为t的圆柱形同轴不良导体片来研究。设材料的电阻率为ρ(ρ=1/σ),则从半径为r的圆周到半径为r+dr的圆周之间的不良导体薄块的电阻为dR?半径r到rb之间的圆柱片电阻为?dr2?trRrrb?r?rdr??lnb?r2?tr2?trb由此可知,半径ra到rb之间圆柱片的电阻为Rrarb?若设Ub=0,则径向电流为r?lnb2?traI?Ua2?tUa?Rrarb?lnbra距中心r处的电位为Ur?IRrrb?Ualn(rbr)()ln(rbra)?为则稳恒电流场ErEr???dUr?Ua1?()drlnbrra可见式()与式()具有相同形式,说明稳恒电流场与静电场的电位分布函数完全相同,即柱面之间的电位Ur与l均为直线关系,并且Ur/Ua即相对电位仅是坐标的函数,与电场电位的绝对值无关。显而易见,稳恒电流场E?与静电场E的分布也是相同的。三、模拟条件用稳恒电流场模拟静电场的条件可以归纳为下列三点。(1)稳恒电流场中的电极形状应与被模拟的静电场中的带电体几何形状相同;(2)稳恒电流场中的导电介质应是不良导体且