文档介绍：+UBEQ-接放大器roIC2IB2IB12IBIC1λ相当于BJT的厄利电压,λ的单位是1/V,~=rds2(1)镜像恒流源Date模电课件EDIRT1TT2Io1(2)MOS比例恒流源T3Io2ECRIRT1T2IC2T3IC3T4IC4TnIC(n+1)(n+1)IBIB2IB1IB3IB4IBnR1ECRIRT1T2接放大器R2UBIE1IE2IC2Date模电课件(3)MOS威尔逊恒流源T1T3IoIRTT2ECRIRIC2IC1T1T2IC2IB3IC2T2T3+UBEQ-+UBEQ-IC3IB3IB12IB3IE2ro≈(FET)依靠()控制漏极电流iD,故称为()控制器件。,又称为()区或()区。此时iD主要受()电压控制,而iD几乎不随()电压的改变而变化。,沟道电流iD的方向是从()极到()极;P沟道FET放大偏置时,iD的方向是从()极到()()位置刚好消失的状态。此时,uDS与uGS满足的关系式称为()方程。漏DuDS=uGS-UGS(off)=(),对于耗尽型管gm≈()或();对于增强型管gm≈()Date模电课件P145截止区uGS<UGS(th)<0改为P145截止区uGS<UGS(th),UGS(th)>,耗尽型管转移特性曲线近似满足的平方律