热氧化演示课件.ppt

文档介绍：热氧化(ThermalOxidation)1热氧化(ThermalOxidation)??氧化膜(SiO2)?热氧化机理(Deal-Grove模型)热氧化工艺(方法)??:将硅片置于高温下,通以氧化的气氛,使硅表面一薄层的硅转变为二氧化硅的方法。(Si02):4个O原子位于四面体的顶点,Si位于四面体中心。45结晶形和非结晶形(无定形)二氧化硅都是Si-O正四面体结构组成的。这些四面体通过不同的桥键氧原子连接,形成不同状态和结构的二氧化硅。桥键氧非桥键氧热氧化方法制备的二氧化硅是无定形结构(长程无序但短程有序)。SiO2有结晶形和无定形两类。6热氧化(ThermalOxidation)??氧化膜(SiO2)?热氧化机理(Deal-Grove模型)热氧化工艺(方法)??①.作为杂质扩散或离子注入的掩蔽层②.表面钝化层③.器件隔离用的绝缘层④.mos器件的组成部分—栅介质⑤.电容器的介质材料⑥.多层布线间的绝缘层8■介电强度高:>10MV/■电阻率高:11014·cm~11016·cm禁带宽度大:~9eV■介电常数:(热氧化二氧化硅膜)■B、P、As等常见杂质在SiO2中的扩散系数远小于其在Si中的扩散系数。DSi>DSiO2■SiO2做掩蔽膜要有足够的厚度:对特定的杂质、扩散时间、扩散温度等,有一最小掩蔽厚度。