模拟电子技术基础-第三次.ppt

文档介绍：§13晶体三极管晶体管的结构和符号、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输岀特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数六、光电三极管七、(a)小功率曾(b)小功率曾(c)中功率管(d)大功率曾发射区基凶集电区集电板发射结8集电结NPNNPN型晶体管集电极c集电区基极b集电结基区Ob发射结发射区符号发射极ePNP型晶体管集电极c集电区集电结基极b基区发射结b发射区发射极e符号晶体管的放大原理三极管内部结构要求:发射区高掺杂。。通常只有几微米到几十微米,。三极管放大的外部条件:外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态,而集电结处于反向偏置状态。P区空穴空穴负离子正离子自由电子N区自由电浓度远高子浓度远高于N区。于P区。oooooRToaoP区N区扩散运动空间电荷区漂移运动OO⑨因电场作用所产ooolooc⑥|e更生的运动称为漂移QOO④⑥e"@⊕运动。P区N区放大的条件ua>L(发射结正偏)≥n(集电结反偏少数载流因集电区面积大,在外电场作用下大子的运动部分扩散到基区的电子漂移到集电区Io因基区薄且多子浓度低,使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区基区空穴的扩散扩散运动形成发射极电流l,复合运动形成基极电流l,,扩散运动形成发射极电流发射区的电子越过发射结扩散到基区,基区的空穴扩散到发射区一形成发射极电流IE(基R区多子数目较少,空穴电流可忽略)。,少数与空穴复合形成基极电流I,复合掉的E空穴由VB补充。多数电子在基区继续扩散,到达晶体管内部载流子的运动集电结的一侧3集电结加反向电压,漂移运动形成集电极电流集电结反偏,有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极R1电流In。其能量来自外接电源vc另外,集电区和基区的少RC子在外电场的作用下将进OI行漂移运动而形成反向饱E和电流,用CcBo表示。晶体管内部载流子的运动、晶体管的电流分配关系+In+1,IC=ICN+IcBOCIR=+ln-1CBOCBOn=l+/bh-lc一漂移运动形成的电流BBEn图1,