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文档介绍：、绝缘栅场效应管(IGEFT)NMOS增强型结构示意图与电路符号(2)三个集:源集,栅(门)集,漏集(1)二个PN结:衬源,衬漏工艺特点:源漏高掺杂栅绝缘电阻大NMOS结构1、绝缘栅场效应管(IGEFT)(续)PMOS增强型结构示意图与电路符号(2)三个集:源集,栅(门)集,漏集(1)二个PN结:衬源,衬漏工艺特点:源漏高掺杂栅绝缘电阻大2、NMOS增强型工作原理(1)VGS增加形成反型层,大于VT产生沟道,漏源之间形成导电通路**衬源和衬漏之间加反向偏置**2、NMOS增强型工作原理(续1)(2)加入VDS形成漏源电流2、NMOS增强型工作原理(续2)(3)继续加大VGS,沟道变宽,沟道R变小,ID增加**场效应管是电压控制型器件****场效应管导电由N+的多子形成,单极型器件,T特性好**NMOS工作原理12、NMOS增强型工作原理(续3)(4)继续加大VDS,ID适当增加,源-漏电位逐步升高,沟道预夹断2、NMOS增强型工作原理(续4)(5)预夹断后继续加大VDS,沟道夹断,ID恒定**漏源增加的电压降在夹断区**NMOS工作原理23、N沟道耗尽型MOSFET(1)SIO2中预埋正离子(3)υGS负到VGS(off)(VP示),沟道消失(2)VGS=0时就存在内建电场,形成沟道4、结型场效应管(JFET)(1)N沟道和P沟道JFET结构与符号**JFET正常工作时,两个PN结必须反偏****NJFET****PJFET**