文档介绍：大连理工大学
博士学位论文
新型取代基酞菁与酞菁晶体的合成及光学性质研究
姓名:夏道成
申请学位级别:博士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:杜国同
20081201
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摘要胪,’,ピL寤本论文主要是对新型取代基酞菁和酞菁晶体的合成和光学性质进行了研究。因为酞菁在信息、医疗、化工等众多领域有很广泛的应用,所以近百年来一直是科学家研究的热点课题。酞菁经过近百年的研究,科学家已经合成了上万种酞菁衍生物,但是,随着科技的不断进步,人类社会不断发展的需求,具有新特性的新型酞菁的获得仍是相关科技工作者孜孜以求的目标。为此,在本论文中,我们改进了合成方法,合成了几种新型我们首次合成了九个新型不对称酞菁。它们分别是一允宥』窖趸酞菁、一允宥』窖趸酞菁铜、一允宥』窖趸酞菁锌、,一二一叔丁基苯氧基]肌欢对叔丁基苯氧基]纪欢对叔丁基苯氧基]夹俊,一三一允宥』窖趸酞菁、,,一三一允宥』窖趸酞菁铜和,蝗对叔丁基苯氧基]夹俊2欢猿铺]际且一允宥』窖趸邻苯二腈,亚胺基异吲哚啉徒鹗粞水乙酸合铜和二水乙酸合镍F鹗荚虾铣傻摹:铣煞椒简述如下:原料在不同的有机溶剂齑迹琋,欢谆柞0中加热搅拌,加入适量的催化剂一二氮杂一双环,琌惶枷┮诘F;は陆反应。反应完毕后,在减压下除去溶剂,首先产物用甲醇在索氏提取器中索提后产物用柱层析分离两次后,最后得到目标化合物。不对称酞菁经过元素分析、红外、紫外可见光谱和质谱的表征证明其结构,从而证实产物就是目标化合物。胺基异吲哚啉和二水乙酸合铜为起始原料;三是邻苯二腈、氧化铜和钼酸铵为起始原料。在实验中我们得到了さ奶]纪澹屎纤脑Q苌洳饬俊Mü脑衍射和牟饬恐っ鳎迨撬幕贩堑T犹]纪L]纪肿邮绞荂我们还讨论了酞菁铜晶体产率与反应温度、反应时间和反应时所用溶剂体积的关系最佳的反应条件是:反应温度为妫从θ酞菁,还制备了其电致发光器件。我们首次用喹啉为溶剂的溶剂热合成法直接合成了酞菁铜晶体。我们使用三种原料合成酞菁铜晶体:一是邻苯二腈、钼酸铵和二水乙酸合铜为起始原料;.,.,,,根据加氡曜嫉耐伎ǎ冉戏宓那慷与位置,证实该晶体是∥型晶体。,前坊爝胚徇投宜岷贤F鹗荚鲜保⑾趾铣酞菁铜晶体的产率最高,,反应时间为。新型取代基酞菁与酞菁晶体的合成及光学性质研究
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料合成酞菁镍晶体:一是邻苯二腈和二水乙酸合镍为起始原料;、钼酸铵和二水乙酸合镍为起始原料。在合成中得到酞菁镍晶体尺寸也在,适合四元衍射测量。通过四元衍射和牟馐灾っ鳎迨撬幕贩堑T犹菁镍。酞菁镍分子式是,单晶空间群是,.,,卢三,尸,,比较峰的强度与位置,证实该晶体也是声型晶体。然后我们研究了酞菁镍晶体产率与反应温度、反应时间和反应时所用溶剂体积的关系。我们又研究发现,、钼酸铵和二水乙酸合镍为起始原料合成酞菁镍晶体时的产率最高,为.%,最佳的反应条件是:在嫦拢芗廖用上述方法合成酞菁,其优点是可以直接合成酞菁铜晶体,十分方便。我们相我们以三种新型不对称酞菁铜为发光层制作了电致发光器件。三种新型不对称酞菁铜为:』窖趸酞菁铜;二是,对叔丁基苯氧基]纪蝗且对叔丁基苯氧基]』窖趸酞菁铜和,对叔丁基苯氧基为阳极;?昭ù洳悖籔7⒐獠悖籄5缱哟洳悖的方法,把各个有机材料依次蒸镀到清洗过的AС牡咨希渲蠳生长速度为三一允宥』窖趸酞菁铜】生长速度为镀虯谱鱋在测试波段的透过率大于%。另一种是以,』窖趸酞菁铜为发光层的器件结构为:极;?昭ù洳悖籔7⒐獠悖籅为空穴阻挡层;为电子传输层;为修饰电极;为阴极。器件的制备工艺大体为::』窖趸酞菁铜为发光层与喙亓5姆⑸洳ǔし痭;以,.二。允宥』窖趸酞菁铜为发光层与本文还首次以喹啉为溶剂的溶剂热合成法直接合成了酞菁镍晶体。我们使用两种原~/瘟渴牵篴,时间是信,在不久的将来,该方法可以推广到酞菁铜晶体的工业化生产中。酞菁铜为发光层的器件结构为:#涸.,采用热蒸镀痬对叔丁基苯氧基]纪可に俣任痳琍,に俣任/最后,#疶Q法,把有机材料依次蒸镀到清洗过的AС牡咨希渲蠳生长速度为对叔丁基苯氧基]纪可に俣任痬;に俣任痬;最后,
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带相关联的发射波长分别出现在;以,对叔丁基苯氧基]纪7⒐獠阌隥带相关联的发射波长分别出现在上述发射波长的不同是因为取代基的数目和真空镀膜的分子聚集态不同造成的,所以三种不对称酞菁铜的发射峰值和半峰宽差别较大,而且由此也引起斯托克司位移的不同。我们首次合成了亚酞菁铜。合成方法简述如下:把