文档介绍：下一页返回上一页退出章目录第第19 19章章电力电子技术电力电子技术 电力电子器件电力电子器件 可控整流电路可控整流电路 逆变电路逆变电路 交流调压电路交流调压电路下一页返回上一页退出章目录本章要求: 本章要求: 1. 1. 了解晶闸管的基本构造、工作原理、特性曲线了解晶闸管的基本构造、工作原理、特性曲线和主要参数; 和主要参数; 2. 2. 了解单相可控整流电路的可控原理和整流电压了解单相可控整流电路的可控原理和整流电压与电流的波形,了解单结晶闸管及其触发电与电流的波形,了解单结晶闸管及其触发电路; 路; 3. 3. 了解逆变电路、变频电路和交流调压电路了解逆变电路、变频电路和交流调压电路及斩及斩波电路的工作原理和应用。波电路的工作原理和应用。第第19 19章章电力电子技术电力电子技术下一页返回上一页退出章目录 电力电子器件电力电子器件 (1) (1) 不控器件不控器件器件的导通和关断无可控功能。如整流二极管器件的导通和关断无可控功能。如整流二极管( ( D) D) 。。(2) (2) 半控器件半控器件器件的导通可控器件的导通可控, ,但关断不可控。如普通晶闸管但关断不可控。如普通晶闸管( (T T) )。。 (3) (3) 全控器件全控器件器件的导通和关断均具可控的功能。如可关断晶闸管器件的导通和关断均具可控的功能。如可关断晶闸管( ( GTO GTO ) )、功率晶体管、功率晶体管( ( GTR GTR ) )、功率场效晶体管、功率场效晶体管( ( VDMOS VDMOS ) )及绝缘栅双极晶体管及绝缘栅双极晶体管( ( IGBT IGBT ) )。。 电力电子器件的分类电力电子器件的分类下一页返回上一页退出章目录电力电子器件的符号电力电子器件的符号电力电子器件的主要性能指标电力电子器件的主要性能指标电压、电流、工作频率。电压、电流、工作频率。 K K G G A AT T K K A AD D K K G G A A GTO GTO GS D VDMOS VDMOS BE C GTR GTR GE C IGBT IGBT 下一页返回上一页退出章目录 晶闸管晶闸管晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率大功率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域扩半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。展到强电领域。晶闸管晶闸管也像半导体二极管那样具有也像半导体二极管那样具有单向导电性, 单向导电性, 但它的导通时间是可控的,主要用于整流、逆变、但它的导通时间是可控的,主要用于整流、逆变、调压及开关等方面。调压及开关等方面。优点: 优点: 体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、操作方便、寿命长、操作方便、寿命长、容量大(正向平均电流达千容量大(正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏)。安、正向耐压达数千伏)。( (S S ilicon ilicon C C ontrolled ontrolled R R ectifier ectifier ) ) 下一页返回上一页退出章目录 G G控制极控制极 1. 1. 基本结构基本结构 K K 阴极阴极阳极阳极 A A P1 P2 N1 N2 晶闸管具有三个晶闸管具有三个 PN PN 结。结。(c) (c) 结构结构 K K G G A A (b) (b) 符号符号(a) (a) 外形外形晶闸管的外形、结构及符号晶闸管的外形、结构及符号四四层层半半导导体体三三个个 PN PN 结结下一页返回上一页退出章目录 P1 P2 N1 N2 K G A晶闸管相当于晶闸管相当于 PNP PNP 和和 NPN NPN 型两个晶体管的组合型两个晶体管的组合 PP NN NP AGK + +K AT 2T 1_ P 2N 1N 2I GI AP 1N 1P 2I KG 下一页返回上一页退出章目录 2. 2. 工作原理工作原理在极短时间内使两个三极管均饱和导通, 此过程称触发导通。形成正反馈过程形成正反馈过程 G 2Bii? 1BG22 Ciii??? 2C11 Ciβi? 2BG21ii???? E E A A > 0 > 0 、、E E G G > 0 > 0 A AK K G G E A+_ R T 1T 2E G_ + G21iββ G2iβ Gi 2Bi 下一页返回上一页退出章目录 E A+_ R T