文档介绍：西安電于抖六
X1D⊥ANUN
掌握
光刻胶的组成
+PR和-PR的区别
描述光刻工艺的步骤
四种对准和曝光系统
Explain relationships of resolution and depth of
focus to wavelength and numerical aperture
Jincheng Zhang
西安電于抖六
X1D⊥ANUN|V
光刻概述 Photolithography
临时性地涂覆光刻胶到硅片上
把设计图形最终转移到硅片上
IC制造中最重要的工艺
占用40to50%芯片制造时间
决定着芯片的最小特征尺寸
Jincheng Zhang
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光刻需要
■高分辨率 High resolution
光刻胶高光敏性 High PR Sensitivity
■精确对准 Precision alignment
Jincheng Zhang
西安電于抖六
X1D⊥AN
Photoresist(PR)-光刻胶
■光敏性材料
临时性地涂覆在硅片表面
■通过曝光转移设计图形到光刻胶上
■类似于照相机胶片上涂覆的光敏材料
Jincheng Zhang
西安電于抖六
X1D⊥AN
Photoresist
Negative photoresist
Positive photoresist
负性光刻胶-负胶
正性光刻胶-正胶
曝光后不可溶解
曝光后可溶解
显影时未曝光的被溶解「显影时曝光的被溶解
便宜
高分辨率
Jincheng Zhang
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负胶的缺点
聚合物吸收显影液中的溶剂
由于光刻胶膨胀而使分辨率降低
其主溶剂,如二甲苯等会引起环境和安全问题
Jincheng Zhang
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正胶
Positive photoresist
曝光部分可以溶解在显影液中
正影(光刻胶图形与掩膜图形相同)
更高分辨率(无膨胀现象)
在IC制造应用更为普遍
Jincheng Zhang
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对光刻胶的要求
■高分辨率
Thinner pr film has higher the resolution
Thinner pr film, the lower the etching and ion
implantation resistance
高抗蚀性
■好黏附性
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光刻工艺 Photolithograph
hy process
光刻基本步骤
·涂胶 Photoresist coating
对准和曝光 Alignment and exposure
·显影 Development
Jincheng Zhang
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光刻工序
Previous
Clea
ation
PR coating H Soft bake
Hard bake
Development
PEB
Track system
Photo cell
PR
Photo B
Approved
Etch
Implant
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