文档介绍：BLH3356
高频低噪声 NPN 晶体管
描述:::
BLH3356 是一种低噪声和高功率增益的硅外延 NPN 晶体管。
应用:::
高频低噪声放大
工作条件( T=25T=25℃℃℃℃))))
参数符号极值单位
BC 击穿电压 VCBO 20 V
EC 击穿电压 VCEO 12 V
EB 击穿电压 VEBO 3 V
集电极电流 IC 100 mA
功耗 PC W
结温度 Tj 150 ℃
存储温度 Tstg -65-+150 ℃
电学参数(T=25(T=25℃℃℃℃))))
参数符号最小典型最大单位条件
... ... 值值值
BC 击穿电压 BV CBO 20 V IC=10uA
EC 击穿电压 BV CEO 12 V IC=1mA
EB 击穿电压 BV EBO 3 V IE=10uA
集电极关断电流 ICBO 1 uA VCB =10V
发射极关断电流 IEBO 1 uA VEB =1V
直流增益 HFE*1 90 130 170 VCE = 10V, I C=20mA
高频特性
特征频率 fT 5 GHz VCE =10V, I C=20mA
- 1 - 8/18/2006
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BLH3356
封装形式:
SOT23
- 2 - 8/18/2006
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