CMOS集成电路制造工艺.pdf

文档介绍：第四章
CMOS集成电路制造工艺
信息学院电子系
李国刚
本章内容
™主要的单项工艺
™ N阱CMOS制造流程
™ 双阱CMOS制造流程
™ 新工艺改进
™ 设计规则
一、主要的单项工艺
™N阱CMOS
单晶硅生长示意图
单晶硅生长炉
预备工作:外延层淀积(p衬底)
Photo-Lithographic process
1、 SiO2生长与淀积
™ SiO2:极好的电绝缘体、很好地附着在其它材料
上、可生长或淀积在硅圆片上,能被化学漂洗掉。
12
™ SiO2称为石英玻璃,电阻率约为10
™ 2种类型(1)热氧化层生长:用O2或H2O
(气)。
(2)化学气相淀积CVD:
™ 适宜晶圆表面已覆盖氧化层情况
SiH4(气)+2O2(气)ÆSiO2(固)+2H2O(气)