文档介绍：黑龙江大学
硕士学位论文
TiO<,2>-CNTs复合纳米材料的构筑及其光电性能的研究
姓名:林景升
申请学位级别:硕士
专业:光电化学与光催化
指导教师:井立强
20100510
中文摘要本文采用两褶分离。水解溶剂热法,,割备了复合程度高的复合样晶。实验结果表明只有当在合适温度下酸化以及前期与钛酸丁酯的预混合处理之后加入甲苯,才能得到稳定的有机坏,焉温度过低又不缝起至蛊浔砻婕岳凶饔谩:鲜饰露人峄腃腩酸丁酯前期混合搅拌使其表面包覆一层钛酸丁酯欣诠钩闪己玫挠谢喾光电流,这与光催化效率得到提高结论是相吻合的。进一步证实了促进了异质材料的构筑,并通过、、确椒ǘ匝方辛瞬试和表征。同时利用刮涂方法制备了复合材料薄膜电极并对其光电性能进行了测试表征。重点研究了的存在对光催化性能及光电性熊的影响,并且讨论了复合结构的形成机理。通过改变酸化的温度和与钛酸丁酯前期混合使其与甲苯形成稳定分散相,制备出分散的复合样晶。当经过较高温度酸化之后结构会被严重破散体系。使钛酸丁酯在水热形成瓢过程中直接与进行复合,这是形成良好的复合结构的关键,丽且在样品的后续处理过程孛没有经过高温处理,这就不会导致因为受热膨胀使其复合结构破坏。经过光催化测试合适含量的样品的光催化活性得到提高,甚至超过了墓獯呋钚浴Mü齋的测试结果分析初步得出在光催化活性提高中的作用。⑾諧拇嬖谔岣吡薾光生蕊光生载流子的分离效率。并且我髑将此方法延伸到了髓的其它纳米复合材料的制备,利用代替在经过相同的方法处理,在相同条件下制备了哪擅赘春喜牧希⑶腋春涎返墓獯呋钚缘玫搅颂岣摺关键词:纳米丽。荒擅赘春希还獾缁В还獯呋
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学位论文作者签名:稍曝研签字日期:矽月/日签字霸期:冲签字日期:初/口年苗月日独创性声明年石月厂圜学位论文版权使用授权书人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得墨蕉堑太堂或其他教育机构的本人完全了解墨蕉逛塞堂有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留并入授权墨蕉婆太堂可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他学位或证书而使用过的材料。’向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本可以采用影印、缩印或其他复制手段保存、汇编本学位论文。学位论文作者签名:导师签名学位论文作者毕业后去向:工作单位:通讯地址;电话:邮编:狻剖性声明
,在各种集成电路大多由硅材料制造。闪街只蛭髦忠陨显;炕隙半导体材料拥有独特的性能,被广泛的研究及应用,尤其是在纳米技术高速发震的今天,运用纳米技术在不阕结构与性能上的研究弓鹆巳嗣堑墓惴汗刈ⅰ昃伞其成果很大程度上的改善了人们的生活质量。随研究的不断加深,其应用领域及作用被不断的拓展。利用纳米技术使半导体材料在很多方面的性能得到改善,如割备出商效的催优荆、高效的光电转换材料、及在生物传感酌方面的疲用。物质的性能与其结构有很大联系,当材料具有纳米尺寸或纳米尺寸结构时其性能就会得到改善,例如,呈现出许多不同于宏观物体、也不同于单个孤立原予的新现象,甚至发生质变≯D擅准际踅ǔ墒兰偷那把睾椭鞯急缪В八τ诨研究阶段,是物理、化学、生物、材料、电子等学科的交叉汇合点。因此纳米半导体材在很多领域存在着广泛应用前景。根据物质的导电能力来划分,物质被分为导体、半导体和绝缘体。其中半导体的导电能力介予导体与绝缘体,被广泛应雳在各领域。由于其电学性能受外界环境影响较大,而且在其中掺杂少量杂质之后其导电能力可以得到一定程度的控制,显现出功能的多样性,制造出了各种半导体器件。半导体材料在半导体工业上起着十分重大作用,被认为是半导体工业的基石,按照材料的化学成分与结构区划分可分为四种。ブ首槌傻谋欢ㄒ逦R辉0氲继迤渲邪ㄕ唷⒐琛⑽硼、碲、锑等。在一元半导体材料中锗占有主导地位,但由于其在耐高温和抗辐射等方面性熊较差逐渐被硅材料所取代。硅在耐高温和抗辐射方蚕性熊较好,特别适合制备大功率器件的材料。因此,硅成为应用最多的半导体材
半导体光催化剂简介化氧化技术受至了广泛重视。通过光催化氧化作用可将有机污染物催化氧化成为的半导体材料被定义为化合物半导体。它的种类缀多,包括砷纯镓、磷化铟、锑化铟、碳化硅、硫化镉及镓砷硅等。砷化镓是制造微波器件和集成电路的重要材料。碳化硅抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好,被广泛应用在航天等领域。诎氲继宀牧现校禾氲继宀牧媳欢ㄒ逦N薅ㄐ伟