文档介绍：三星单片机开发网/
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常用三星单片机烧写电压设置参考表
芯片说明:
三星 MCU 命名方式与 ROM 大小及类型相关, 尾缀以 2/4/8/5/7/9/A/B
结尾,分别表示具有 2K/4K/8K/16K/24K//32K/48K/64K BYTES ROM.

S3C 开头代表是 MASK ROM 类型, S3P 开头代表是 OTP ROM 类型,
S3F 开头代表是 FLASH ROM 类型.

以下列表为简化化起见,均以 S3C 起头,其 S3P,S3F 类型片子与其有完全
相同的烧写电压设置和完全兼容的电气性能.

编程器说明:
我站超级型编程器 SSWPRO 可烧写三星全系列 4 位/8 位单片机,
并包包括 S3CK215/225 系列片子,具在线/离线烧写功功能,速度快,操作简
便,可应用于学习开发设计及量产烧写,脱机加加载一拖八的烧写板即可
作为一拖四/一拖八高速烧写应用.
gju/

我站商用型编程器 SSW 可烧写三星全系列 4 位/8 位单片机,并
包包括 S3CK215/225 系列片子,具在线/离线烧写功功能,速度快,操作简便,
可应用于学习开发设计及量产烧写.
gju/

我站经济型编程器 SSW 可适用于烧写三星所有
ROM<=32 KBYTES 的 4/8 位单片机, 具在线/离线烧写功功能,速度较快,
操作简便, 可应用于学习开发设计及量产烧写.
注: SSW 是 SSW 的升级换代版本.
gju/

gju/

我站简易型编程器 SSW 推荐应用于烧写三星 8 位 FLASH ROM
类型单片机, ROM<=16K BYTES, 支持 VDD=5V 电压芯片烧写,不支
持类型芯片,适用于 FLASH 芯片学习开发应用.
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三星单片机烧写电压设置参考表第 1 页
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烧写电压说明:
Vdd 电压指烧写时加加载到到芯片 Vdd 端子的逻辑电压,Vpp 电压指烧写
时加加载到到芯片 Vpp(Test) 端子的编程电压, Vpp=12V 是编程器的默认
烧写电压,无须特别设置. 由于编程器的默认输出 Vpp 电压均为 12V,
因此烧写 Vpp= 的芯片时,需对烧写转换适配器作以下改动动:
2009 年上半年以前前的老型号系列烧写器处理方法:
(烧写器软件界面上没有 VPP 电压选择项,只输出 VPP=12V)
将烧写器烧写座引出的 Vpp 端子完全空置不用, 并在适配器上将 Vdd
端子直接连接 Vpp 端即可.
注意烧写器的 VPP 端子必须完全空置不用,不要再行连接到到芯片端,