文档介绍：14:37
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表面光伏现象：
原理、实验和应用
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一．表面光伏原理
二． 表面光伏技术分类
三．表面光伏测量的应用
半导体材料导电类型的确定
少数载流子扩散距离的测定
表面态参数的测定
纳米尺度表面光伏特性研究
表面光伏气敏特性研究
谱带认证
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40－50年代， Brattain和Bardeen诺贝尔讲演揭开了表面光伏研究的序幕
60年代，Johnson和 Goodman等人利用SPV方法测量了少数载流子的寿命，并发展了少数载流子扩散长度的理论模型，奠定了硅太阳能电池的基础。
70年代，Gatos等人系统地进行了亚带表面光伏的研究，对半导体的表面态进行了研究。
90年代，SPV相关技术发展的最活跃，Lagowski等人 用SPV扫描Si片表面，结合扫描探针技术的尖得到SPV测量，较大的改善了分辨率。
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Surface Photovoltage phenomena:
Theory, experiment and application
, Y Shapira
Surface Science Reports 254(1999)1-205
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SPV检测原理
1. 带－带跃迁情况
2. 亚带隙跃迁情况
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SPV检测原理
1. 带－带跃迁情况
2. 亚带隙跃迁情况
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图1. 具有Schottky势垒的带弯，p－型(上图)和n－型
(下图)半导体与金属形成的势垒接触。
固/固
液/固
气/固
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图 2. n－型(左图)和p－型(右图)半导体材料在光诱导
下， 表面势垒高度(Vs)的变化过程。
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图 3. 双面接触的n型半导体，一侧保持暗态，另一
侧受光照射，两侧表面势垒高度(Vs)的变化。
h
暗态
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SPV检测原理
1. 带－带跃迁情况
2. 亚带隙跃迁情况