文档介绍：NAND闪存与ＮOR闪存的工作原理详解
经典物理学认为
物体越过势垒,有一阈值能量;粒子能量小于此能量则不能越过，大于此能量则可以越过。例如骑自行车过小坡，先用力骑,如果坡很低,不蹬自行车也能靠惯性过去。如果坡很高，不蹬自行车,车到一半就停住，然后退回去。
量子力学则认为
即使粒子能量小于阈值能量,很多粒子冲向势垒，一部分粒子反弹,还会有一些粒子能过去,好象有一个隧道，称作“量子隧道（ｑuantum tunnelｉng)”。
可见，宏观上的确定性在微观上往往就具有不确定性。虽然在通常的情况下,隧道效应并不影响经典的宏观效应,因为隧穿几率极小，但在某些特定的条件下宏观的隧道效应也会出现。
[发现者］
1９57年，受雇于索尼公司的江崎玲於奈（Leo Esａki，194０~）在改良高频晶体管2T7的过程中发现,当增加PＮ结两端的电压时电流反而减少，江崎玲於奈将这种反常的负电阻现象解释为隧道效应。此后，江崎利用这一效应制成了隧道二极管(也称江崎二极管）。
1960年，美裔挪威籍科学家加埃沃(Ivan Giaevｅr,１929~)通过实验证明了在超导体隧道结中存在单电子隧道效应。在此之前的１9５6年出现的“库珀对”及ＢCS理论被公认为是对超导现象的完美解释,单电子隧道效应无疑是对超导理论的一个重要补充。
196２年,年仅20岁的英国剑桥大学实验物理学研究生约瑟夫森(Brian Daｖid Ｊoｓephsｏn，1940～)预言,当两个超导体之间设置一个绝缘薄层构成SIS（Superｃoｎdｕｃtor-Insulaｔor-　Sｕperconductｏr)时,电子可以穿过绝缘体从一个超导体到达另一个超导体。　观测所证实——电子对通过两块超导金属间的薄绝缘层（厚度约为10埃)时发生了隧道效应,于是称之为“约瑟夫森效应”。
　宏观量子隧道效应确立了微电子器件进一步微型化的极限，当微电子器件进一步微型化时必须要考虑上述的量子效应。例如，在制造半导体集成电路时，当电路的尺寸接近电子波长时,电子就通过隧道效应而穿透绝缘层，使器件无法正常工作。因此,宏观量子隧道效应已成为微电子学、光电子学中的重要理论。
闪存　闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后,水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力。
　　与场效应管一样,闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层,对浮置栅极进行充电（写数据）或放电(擦除数据）。而NOR型闪存擦除数据仍是基于隧道效应（电流从浮置栅极到硅基层)，但在写入数据时则是采用热电子注入方式(电流从浮置栅极到源极）。
ﻫ场效应管工作原理ﻫ场效应晶体管（Fｉｅld Efｆeｃt Ｔrａnsiｓtoｒ缩写(ＦＥＴ)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反，也称为单极型晶体管。它属于