半导体制造工艺流程简介.doc

文档介绍：半导体制造工艺 NPN 高频小功率晶体管制造的工艺流程为: 外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗—— UDO 淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下 CVD ——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上 CVD ——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。 PNP 小功率晶体管制造的工艺流程为: 外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化—— QC 检查( tox ) ——一次光刻—— QC 检查——前处理——基区 CSD 涂覆—— CSD 预淀积——后处理—— QC 检查( R □) ——前处理——基区氧化扩散—— QC 检查( tox 、R □) ——二次光刻—— QC 检查——单结测试——前处理—— POCl 3 预淀积——后处理( P 液) —— QC 检查——前处理——发射区氧化—— QC 检查( tox ) ——前处理——发射区再扩散( R □) ——前处理——铝下 CVD —— QC 检查( tox 、R □) ——前处理—— HCl 氧化——前处理——氢气处理——三次光刻—— QC 检查——追扩散——双结测试——前处理——铝蒸发—— QC 检查( t Al) ——四次光刻—— QC 检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙—— QC 检查( ts) ——五次光刻—— QC 检查——大片测试——中测——中测检查( ——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查) ——综合检查——入中间库。 GR 平面品种(小功率三极管) 工艺流程为: 编批——擦片——前处理——一次氧化—— QC 检查( tox ) ——一次光刻—— QC 检查——前处理——基区干氧氧化—— QC 检查( tox ) ——一 GR 光刻(不腐蚀) —— GR 硼注入——湿法去胶——前处理—— GR 基区扩散—— QC 检查( Xj、R □) ——硼注入——前处理——基区扩散与氧化—— QC 检查( Xj、 tox 、R □) ——二次光刻—— QC 检查——单结测试——前处理——发射区干氧氧化—— QC 检查( tox ) ——磷注入——前处理——发射区氧化和再扩散——前处理—— POCl3 预淀积( R □) ——后处理——前处理——铝下 CVD —— QC 检查( tox ) ——前处理——氮气退火——三次光刻—— QC 检查——双结测试——前处理——铝蒸发—— QC 检查( t Al) ——四次光刻—— QC 检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——正向测试——五次光刻—— QC 检查——大片测试——中测编批——中测——中测检查——入中间库。双基区节能灯品种工艺流程为: 编批——擦片——前处理——一次氧化—— QC 检查( tox ) ——一次光刻—— QC 检查——前处理——基区干氧氧化—— QC 检查( tox ) ——一硼注入——前处理——基区扩散——后处理—— QC 检查( Xj、R □) ——前处理——基区 CSD 涂覆—— CSD 预淀积——后处理—— QC 检查(R □) ——前处理——基区氧化与扩散—— QC 检查( Xj、 tox 、R □) ——二次光刻—— QC 检查——单结测试——磷注入——前处理——发射区氧化——前处理——发射区再扩散——前处理—— POCl3 预淀积( R □) ——后处理——前处理—— HCl 退火、 N2 退火——三次光刻—— QC 检查——双结测试——前处理——铝蒸发—— QC 检查( t Al)——四次光刻—— QC 检查——前处理——氮氢合金——氮气烘焙——正向测试( ts) ——外协作( ts) ——前处理——五次光刻—— QC 检查——大片测试——测试 ts ——中测编批——中测——中测检查——入中间库。变容管制造的工艺流程为: 外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化—— QC 检查—— N+ 光刻—— QC检查——前处理——干氧氧化—— QC 检查—— P + 注入——前处理—— N + 扩散—— P + 光刻—— QC 检查——硼注入 1 ——前处理—— CVD ( LTO ) —— QC 检查——硼注入 2 ——前处理—— LPCVD —— QC 检查——前处理—— P + 扩散——特性光刻——电容测试——是否再加扩——电容测试——...... (直到达到电容