文档介绍：电子知识特斯拉线圈(9) 什么是特斯拉线圈特斯拉线圈又叫泰斯拉线圈,因为这是从"Tesla" 这个英文名直接音译过来的。这是一种分布参数高频共振变压器,可以获得上百万伏的高频电压。特斯拉线圈的原理是使用变压器使普通电压升压,然后经由两极线圈,从放电终端放电的设备。通俗一点说, 它是一个人工闪电制造器。在世界各地都有特斯拉线圈的爱好者,他们做出了各种各样的设备,制造出了眩目的人工闪电。特斯拉线圈, 它是由一个感应圈、变压器、打火器、两个大电容器和一个初级线圈仅几圈的互感器组成。原理是使用变压器使普通电压升压, 然后经由两极线圈, 从放电终端放电的设备。通俗一点说, 它是一个人工闪电制造器。放电时, 未打火时能量由变压器传递到电容阵, 当电容阵充电完毕时两极电压达到击穿打火器中的缝隙的电压时, 打火器打火, 此时电容阵与主线圈形成回路, 完成 L/C 振荡进而将能量传递到次级线圈。特斯拉线圈作用特斯拉线圈(Tesla Coil) 是一种使用共振原理运作的变压器( 共振变压器) ,由美籍塞尔维亚裔科学家尼古拉· 特斯拉在 1891 年发明, 主要用来生产超高电压但低电流、高频率的交流电力。特斯拉线圈由两组( 有时用三组) 耦合的共振电路组成。特斯拉线圈难以界定,尼古拉· 特斯拉试行了大量的各种线圈的配置。特斯拉利用这些线圈进行创新实验,如电气照明,荧光光谱, X 射线,高频率的交流电流现象,电疗和无线电力, 以便进行电力传输。玩过红色警戒的人都对这个有印象,苏联的所有磁***均是特斯拉线圈,他可以用来接收能量,也可以把能量发射出去,这就是无线电力传输的最初发明。 IBI S 模型是一种基于 V/ I 曲线对 I/O BUFFE R 快速准确建模方法,是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准,它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/ 下降时间及输入负载等参数,非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式, 它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数,但并不说明这些被记录参数如何使用, 这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真,需要先完成四件工作:获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源;获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法; 提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息; 提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为:在 I/O 非线性方面能够提供准确模型, 同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构; 提供比结构化方法更快仿真速度;可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括:串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。 IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真, 它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况;模型可以免费从半导体厂商处获取,用户无需对模型付额外开销;兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。 IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多, 而精度只是稍有下降。非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题, 而在 IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上, 所有 EDA 供应商现在都支持 IBIS 模型, 并且它们都很简便易用。大多数器件 IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBI S 模型是一种基于 V/ I 曲线对 I/O BUFFE R 快速准确建模方法,是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准,它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/ 下降时间及输入负载等参数,非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式, 它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数,但并不说明这些被记录参数如何使用, 这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真,需要先完成四件工作:获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源;获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法; 提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息; 提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为:在 I/O 非线性方面能够提供准确模型, 同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构; 提供比结构化方法更快仿真速度;可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括:串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。 IBIS 尤其能够对高速振荡