文档介绍：实验报告芯片解剖实验报告
课程名称：芯片解剖实验
学号：
姓名：
教师：
年6月28日
实验一去塑胶芯片的封装
实验时间：同组人员：
一、 实验目的
1 • 了解集成电路封装知识，集成电路封装类型。
了解集成电路工艺流程。
掌握化学去封装的方法。
二、 实验仪器设备
1:烧杯，银子，电炉。
2：发烟硝酸，弄硫酸，芯片。
3：超纯水等其他设备。
三、 实验原理和内容
实验原理：
1..传统封装：塑料封装、陶瓷封装
塑料封装(环氧树脂聚合物)
双列直插DIP、单列直插SIP、双列表面安装式封装SOP、四 边形扁平封装QFP具有J型管脚的塑料电极芯片载体PLCC、小外形 J引线塑料封装SOJ
(2)陶瓷封装
具有气密性好，高可靠性或者大功率
耐熔陶瓷(三氧化二铝和适当玻璃浆料)：针栅阵列PGA、 陶瓷扁平封装FPG
薄层陶瓷：无引线陶瓷封装LCCC
2••集成电路工艺
标准双极性工艺
CMOS 工艺
BiCMOS 工艺
陶瓷封装
一般用刀片划开。
塑料封装
化学方法腐蚀，沸煮。
发烟硝酸煮(小火)20~30分钟
浓硫酸沸煮30~50分钟
实验内容：
四、实验步骤
1 •打开抽风柜电源，打开抽风柜。
2•将要去封装的芯片（去掉引脚）放入有柄石英烧杯中。
3•带上塑胶手套，在药品台上去浓硝酸。向石英烧杯中注入适 量浓硝酸。（操作时一定注意安全）
4•将石英烧杯放到电炉上加热，记录加热时间。（注意：火不 要太大）
5•观察烧杯中的变化，并做好记录。
6•取出去封装的芯片并清洗芯片，在显微镜下观察腐蚀效果。
7•等完成腐蚀后，对废液进行处理。
五、 实验数据
1：开始放入芯片，煮大约2分钟，发烟硝酸即与塑胶封转起 反应，
此时溶液颜色开始变黑。
2：继续煮芯片，发现塑胶封装开始大量溶解，溶液颜色变浑 浊。
3：大约二十五分钟，芯片塑胶部分已经基本去除。
4：取下烧杯，看到闪亮的芯片伴有反光，此吋芯片塑胶已经 基本去除。
六、 结果及分析
1:加热芯片前要事先用钳子把芯片的金属引脚去除，因为此 时如果不去除，它会与酸反应，消耗酸液。
2：在芯片去塑胶封装的时候，加热一定要小火加热，因为发 烟盐酸是易挥发物质，如果采用大火加热，其中的酸累物质变会分 解挥发，引起容易浓度变低，进而可能照成芯片去封装不完全，或 者去封装速度较慢的情况。
3：通过实验，了解了去塑胶封装的基本方法，和去封装的一 般步骤。
实验二金属层芯片拍照
实验时间：同组人员：
一、 实验目的
学习芯片拍照的方法。
掌握拍照主要操作。
能够正确使用显微镜和电动平台
二、 实验仪器设备
1：去封装后的芯片
2：芯片图像釆集电子显微镜和电动平台
3：实验用PC,和图像采集软件。
三、 实验原理和内容
1：实验原理
根据芯片工艺尺寸，选择适当的放大倍数，用带CCD摄像头的 显微镜对芯片进行拍照。以行列式对芯片进行图像釆集。注意调平 芯片，注意拍照时的清晰度。2：实验内容
采集去封装后金属层照片。
四、 实验步骤
1 •打开拍照电脑、显微镜、电动平台。
2•将载物台粗调焦旋钮逆时针旋转到底（即载物台最低），小 心取下载物台四英寸硅片平方在桌上