文档介绍：用于太阳电池的等离子体技术中科院电工研究所王文静用于太阳电池的等离子体技术? PECVD 技术– 制备晶体硅太阳电池的减反射和钝化膜– 用于电池片边缘的刻蚀– 非晶硅薄膜制备技术– 非晶硅/ 晶体硅异质结太阳电池的制备? 磁控溅射技术– 制备晶体硅太阳电池的减反射和钝化膜– 薄膜电池导电薄膜的制备– 薄膜电池电极的制备制备 SiN 薄膜的 PECVD 技术 SiN 薄膜的功能? 减反射? 表面钝化载流子通过表面的复合在表面存在大量的悬挂键,这些悬挂键会在表面禁带中形成深能级,造成载流子在表面的复合电子表面复合速率为: 如果硅表面直接暴露在大气中,其表面复合速率将达到 10 5 ~10 6 R s,e = ? s,e ? e n s,h n e 载流子通过表面的复合当半导体和金属接触时,半导体中的费米能级弯曲向金属的费米能级。可以近似地认为在这样的表面上的表面复合速率为无穷大制备 SiN 薄膜设备的分类? PECVD 法? 磁控溅射法—Applied Film 直接法( Direct ) 间接法( Remote ) 自旋共振( ICP ) 管式炉—Centrotherm ,七星华创, 48 所, 捷嘉创平板炉—Schmid ,北方微电子,周星 Shimadzu (岛津) ,Tempress —平板型微波—Roth&Rau RF——General Plasma 直流—OTB —平板型 —Singulus Tech. f = 0 Hz —— OTB 40K Hz —— Centrotherm ,七星华创,捷佳创, 48 所, General Plasma 1~100K Hz —— MVSystem (脉冲调制等离子体) 250K Hz —— Shimadzu (岛津) 400K Hz —— 北方微电子, Schmid , 460K Hz —— Hz —— 周星, Singulus , Semco , MVSystem 2450M Hz —— Roth & Rau 制备 SiN 薄膜设备的分类等离子频率: 4MHz 。 F<4MHz :离子可以跟上电极频率的变化,离子在电极间往返运动,形成等离子体,因此离子会直接轰击样品表面 F>4MHz :离子无法跟上电极频率的变化,电子在电极间往返运动,电子将空间中的离子轰击形成等离子体,离子不直接轰击样品表面。频率的变化对于镀膜的影响( 1 )频率越高均匀面积越小( 2 )频率越低对于硅片表面的损伤较严重( 3 )频率越低离子进入硅片越深,越有利于多晶硅境界的钝化直接法的氮化硅生成过程