文档介绍：模拟电子技术基础 太原理工大学 韩晓明（讲师）
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第0章 导言
电信号
模拟信号：时间和数值上连续的信号
数字信号：时间和数值上离散的信号
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电子信息系统
预处理：隔离、滤波、阻抗变换、放大
加工：运算、转换、比较
预处理和加工统称信号的处理
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课程的特点
一、1、工程性
2、实践性
二、如何学****br/>酝侍咎链研炽棍姜勒副酚杜别除佳迈密斯弥男妖童疯途打盈浅耘蓟姥刻泳第一章 模拟电子技术基础第一章 模拟电子技术基础
第一章、常用半导体器件
半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间
如：硅、锗
特性：1、导电能力 2、热敏性
3、光敏性 4、掺杂性
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定义：纯净的结构完整的半导体。
如高纯度的单晶
硅（14）和锗（32）
均为四价元素。
立体图 平面图
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特性：
1、绝对零度且无外界激发，不导电。
2、温度升高，少数价电子因热激发获得足够的
能量，成为自由电子，可以导电。
概念：自由电子、空穴、载流子、本征激发
本征激发：半导体中共价键分裂产生电子、空
穴对的过程。（加热、光、射线照射）
载流子复合：自由电子运动过程中能量减少，
填补空穴恢复共价键。
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本征半导体载流子浓度公式
为热力学温度， 为玻耳兹曼常数 ，
为热力学零度时破坏共价键所需的能量，又称禁带宽度，
是与半导体材料载流子有效质量、有效能级密度有关的常量。
不同半导体载流子浓度不同，主要由物质的原子结构、有关束缚能力大小有关。
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1、N型半导体（掺入五价元素如***或磷）
电子、空穴、正离子
载流子：电子、空穴
正离子只带电不移动
自由电子数目>空穴数目
多子>少子
注意:自由电子移去留下的
空位不是空穴
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2、P型半导体
掺入三价元素（硼或铟）
空穴(多子)>电子(少子)
硼负离子、电子、空穴
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