文档介绍：光电传感器实验研究摘要: 随着科技的发展,人类越来越注重信息和自动化,在日常的生产学****过程中,人们常常要进行自动筛选、自动传送,而为了实现这些,光电传感发挥了不可磨灭的作用。光敏传感器的物理基础是光电效应,即光敏材料的电学特性因受到光的照射而发生变化。关键词: 光电效应、光电传感器、光敏材料一、理论基础——光电效应光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类。外光电效应是指在光照射下,电子逸出物体表面的外发射的现象,也称光电发射效应,基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应是指入射的光强改变物质导电率的物理现象,称为光电导效应,大多数光电控制应用的传感器,如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等都属于内光电效应类传感器。 1. 外光电效应光照在照在光电材料上,材料表面的电子吸收的能量,若电子吸收的能量足够大,电子会克服束缚逸出表面,从而改变光电子材料的导电性,这种现象成为外光电效应。根据爱因斯坦的光电子效应,光子是运动着的粒子流,每种光子的能量为 hv(v为光波频率,h为普朗克常数),由此可见不同频率的光子具有不同的能量, 光波频率越高,光子能量越大。假设光子的全部能量交给光子,电子能量将会增加,增加的能量一部分用于克服正离子的束缚,另一部分转换成电子能量。根据能量守恒定律: 式中, m 为电子质量,v 为电子逸出的初速度,w 为逸出功。由上式可知,要使光电子逸出阴极表面的必要条件是 hv>w 。由于不同材料具有不同的逸出功,因此对每一种阴极材料,入射光都有一个确定的频率限,当入射光的频率低于此频率限时,不论光强多大,都不会产生光电子发射,此频率限称为“红限”。相应的波长为式中, c为光速, w为逸出功。 2. 内光电效应当光照射到半导体表面时, 由于半导体中的电子吸收了光子的能量, 使电子从半导体表面逸出至周围空间的现象叫外光电效应。利用这种现象可以制成阴极射线管、光电倍增管和摄像管的光阴极等。半导体材料的价带与导带间有一个带隙, 其能量间隔为 Eg 。一般情况下,价带中的电子不会自发地跃迁到导带,所以半导体 w hv?? 2 mv 2 1w hc K??材料的导电性远不如导体。但如果通过某种方式给价带中的电子提供能量, 就可以将其激发到导带中, 形成载流子, 增加导电性。光照就是一种激励方式。当入射光的能量 h ν≥ Eg ( Eg 为带隙间隔)时, 价带中的电子就会吸收光子的能量,跃迁到导带, 而在价带中留下一个空穴, 形成一对可以导电的电子——空穴对。这里的电子并未逸出形成光电子, 但显然存在着由于光照而产生的电效应。因此, 这种光电效应就是一种内光电效应。从理论和实验结果分析, 要使价带中的电子跃迁到导带, 也存在一个入射光的极限能量,即 Eλ=h ν 0=Eg, 其中ν0 是低频限( 即极限频率ν 0=Egh) 。这个关系也可以用长波限表示,即λ 0=hcEg 。入射光的频率大于ν0或波长小于λ0时,才会发生电子的带间跃迁。当入射光能量较小,不能使电子由价带跃迁到导带时,有可能使电子吸收光能后,在一个能带内的亚能级结构间(即图 1中每个能带的细线间)跃迁。二、光电器件及其特性 1. 光敏电阻 1)光敏电阻又称光导管,常用的制作材料为硫化镉,另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下