硅片技术标准.docx

文档介绍：硅片技术标准
1
2020 年 4 月 19 日
文档仅供参考，不当之处，请联系改正。
单晶硅片技术标准
范围
本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规
范等
本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件
ASTM F42-02

半导体材料导电率类型的测试方法
ASTM F26

半导体材料晶向测试方法
ASTM F84

直线四探针法测量硅片电阻率的试
验方法
ASTM F1391-93

太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法
ASTM F121-83

太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法
ASTM F 1535

用非接触测量微波反射所致光电导性衰
减测定载流子复合寿命的实验方法
术语和定义
TV ：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；
TTV ：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准
测量是取硅片 5 点厚度：边缘上下左右 6mm处 4 点和中心点）；
位错：晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线
缺陷；
位错密度：单位体积内位错线的总长度 (cm/cm3) ，一般以晶体
某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；
2
2020 年 4 月 19 日
文档仅供参考，不当之处，请联系改正。
崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边
在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；
裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整
个晶片厚度的解理或裂痕；
四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差
值。
密集型线痕：每 1cm上可视线痕的条数超过 5 条
分类
单晶硅片的等级有 A 级品和 B 级品，规格为： 125′125Ⅰ(mm)、
125′125Ⅱ(mm)、156 ′156(mm)。
技术要求
外观
见附录表格中检验要求。
外形尺寸
方片 TV 为 200±20 um, 测试点为中心点；
方片 TTV小于 30um，测试点为边缘 6mm处 4 点、中心 1
点；
硅片 TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于
其标称厚度的 15%；
相邻 C 段的垂直度： 90 o± o；
.